三星在去年年初就宣布他們攻克了3nm工藝的關鍵技術GAAFET全環繞柵極晶體管工藝，預計會在2022年正式推出這種工藝，目前關于此工藝的消息甚少。不過，近日外媒tomshardware報道稱三星在近日的IEEE國際集成電路會議上，首次公布了采用3nm工藝制造的SRAM存儲芯片，并透露了3GAE工藝的一些細節。

　　GAAFET其實有兩種，一種是使用納米線作為電子晶體管鰭片的常見GAAFET，另外一種則是以納米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效應電子晶體管MBCFET。兩種都在柵極材料所在側面上圍繞溝道區，納米線與納米片的實現方式很大程度上取決于設計，一般而言都用GAAFET來描述兩者。

　　GAAFET其實早在1988年就出現了，這種晶體管的結構使得設計人員可以通過調節晶體管通道的寬度來精確地對其進行調諧，以實現高性能或低功耗。較寬的薄片可以在更高的功率下實現更高的性能，而較薄/較窄的薄片可以降低功耗和性能。在FinFET上實現類似的設計時，工程師必須使用額外的鰭來改善性能。但是在這種情況下，晶體管通道的“寬度”只能增加一倍或兩倍，精度不是很好，有時效率很低。

　　三星表示，與7LPP工藝相比，3GAE工藝可在同樣功耗下讓性能提高30%，同樣頻率下能讓功耗降低50%，晶體管密度最高可提高80%。

　　三星展示了首個使用MBCFET技術的SRAM芯片，這個256Gb芯片的面積是56mm?，與現有芯片相比這個用MBCFET技術的寫入電壓降低了230mV，可見MBCFET確實能讓降低功耗。

　　SRAM其實是比較簡單的芯片，目前還沒有見到三星能用這種技術生產復制芯片的能力，但相信給些時間三星就能解決這問題，預計3nm MBCFET制程會在2022年投產。