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國產(chǎn)55nm NOR閃存量產(chǎn):壽命不低于10萬次

2021-04-24
來源:快科技

  雖然在NAND閃存領域國內還要落后不少,但在NOR閃存市場上,國內公司實力不弱,兆易創(chuàng)新是全球第一大NOR閃存供應商。

  日前在兆易創(chuàng)新存儲器事業(yè)部市場經(jīng)理薛霆接受了電子創(chuàng)新網(wǎng)的采訪,透露了NOR閃存的最新進展及未來發(fā)展情況。

  薛霆表示,“兆易創(chuàng)新的Flash目前全部產(chǎn)品線都已經(jīng)過渡到55nm新工藝,我們已經(jīng)推出了一系列從最小容量512Kbit到最大容量2Gbit的全系列的SPI NOR Flash。我們是全球第一家把SPI NAND Flash推向世界而且量產(chǎn)的公司。”

  薛霆提到,兆易創(chuàng)新“3年前就開始推動55nm工藝研發(fā),經(jīng)過3千片以上wafer的磨合,把55nm做到了可以大規(guī)模量產(chǎn)。

  目前兆易創(chuàng)新55nm的產(chǎn)品第一,工藝上更先進,每一顆的體積更小,功耗上也比65nm降低了30%左右。從功耗到面積都帶來了更多的節(jié)省,給客戶也帶來了更有性價比的產(chǎn)品。

  NOR閃存除了PC、筆記本、服務器要用之外,5G基站、路由、汽車、機頂盒、TWS無線耳機等產(chǎn)品也要用,這些市場對閃存的可靠性要求極高。

  薛霆提到,比如5G基站中,往往需要至少10萬次擦寫,20年的數(shù)據(jù)保證時間,這些也正好是兆易創(chuàng)新擅長的。

  去年7月份,兆易創(chuàng)新宣布推出國內首款容量高達2Gb、高性能SPI NOR Flash——GD25/GD55 B/T/X系列產(chǎn)品,該系列可提供512Mb至2Gb的不同容量選擇,支持高速4通道以及兼容JEDEC xSPI和Xccela規(guī)格的高速8通道,主要面向需要大容量存儲、高可靠性與超高速數(shù)據(jù)吞吐量的工業(yè)、車載、AI以及5G等相關應用領域。

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