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突破碳化硅芯片“卡脖子”技術,中科漢韻SiC功率器件項目通線

2021-05-25
來源:全球半導體觀察

  金龍快報信息顯示,5月24日,江蘇中科漢韻半導體有限公司SiC功率器件項目通線儀式在開發(fā)區(qū)鳳凰灣電子信息產(chǎn)業(yè)園舉行。

  據(jù)介紹,中科漢韻是中科院微電子所碳化硅科技成果產(chǎn)業(yè)轉化的成功典范。項目一期建筑面積2.1萬平方米,建設年產(chǎn)5000片碳化硅功率器件生產(chǎn)線。

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  △Source:金龍湖發(fā)布

  資料顯示,中科漢韻成立于2019年,是中國科學院微電子研究所和徐州中科芯韻半導體產(chǎn)業(yè)投資基金共同投資的半導體芯片設計和制造企業(yè)(IDM),專注于第三代半導體碳化硅MOSFET芯片,致力于高質(zhì)量碳化硅功率器件國產(chǎn)化,為客戶提供高性能的SiC功率器件。

  報道指出,該項目的正式通線,標志著我國企業(yè)突破了碳化硅芯片設計和工藝制造國產(chǎn)化中的一系列重大“卡脖子”技術,將為徐州市和開發(fā)區(qū)集成電路產(chǎn)業(yè)特別是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的強勁動能。

 


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