K海力士宣布，開始啟用EUV光刻機閃存內存芯片。

具體來看，已經于7月初開始量產適用第四代10nm（1a）級工藝的 8Gigabit（Gb） ＊LPDDR4 移動端DRAM（動態隨機存儲器）產品。

此次SK海力士量產的1a納米級工藝是繼1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工藝節點。SK海力士預計從下半年開始向智能手機廠商供應采用1a nm級技術的移動端 DRAM。

在此之前，SK海力士曾在生產1y nm級產品中部分采用了EUV技術，完成了對其穩定性的驗證。這對采用EUV技術進行量產DRAM產品具有非凡的意義。

相比于前一代1z nm級工藝，1a nm級DRAM在每一張晶圓中可產出的產品數量約提高了25％，帶來了生產效率的提升和更高的成本競爭力。1a nm級DRAM穩定支持 LPDDR4 移動端DRAM規格的最高速度（4266Mbps），并相較前一代產品其功耗也降低了約20％。SK海力士認為此次新產品進一步強化了低功耗的優勢，助力碳排放量的減少，充分體現了SK海力士注重ESG（環境、社會、公司治理）經營的精神理念。

啟用EUV技術光刻機閃存內存芯片的還包括三星和美光，不過美光時間上要更晚一些，預計在2024年生產新的EUV內存芯片。