1月12日，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（簡稱“天岳先進(jìn)”）在上交所科創(chuàng)板正式上市，發(fā)行價格為82．79元／股。

天岳先進(jìn)成立于2010年，是一家國內(nèi)領(lǐng)先的寬禁帶半導(dǎo)體（第三代半導(dǎo)體）襯底材料制造商，主營業(yè)務(wù)是碳化硅襯底材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。目前，公司主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底，可應(yīng)用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域。經(jīng)過十余年的技術(shù)發(fā)展，公司已掌握涵蓋了設(shè)備設(shè)計、熱場設(shè)計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環(huán)節(jié)的核心技術(shù)，自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導(dǎo)電型碳化硅襯底制備技術(shù)。

截至2021年6月末，公司擁有授權(quán)專利332項，其中境內(nèi)發(fā)明專利86項，境外發(fā)明專利3項。通過數(shù)千次的研發(fā)及工程化試驗，公司核心技術(shù)不斷創(chuàng)新，所制產(chǎn)品已達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。公司已同時具備半絕緣型碳化硅襯底材料和導(dǎo)電型碳化硅襯底材料的研發(fā)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化能力。根據(jù)Yole統(tǒng)計，2019年及2020年，公司已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。

天岳先進(jìn)是我國第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的龍頭企業(yè)，目前能夠供應(yīng)2英寸－6英寸的單晶襯底。在半絕緣型SiC襯底領(lǐng)域，天岳先進(jìn)產(chǎn)品電阻率已實現(xiàn)108Ω·cm以上，電學(xué)性能達(dá)到較高水平，已批量且穩(wěn)定地供應(yīng)給通信行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)，用于其新一代信息通信射頻器件的制造。

據(jù)悉，天岳先進(jìn)在上海臨港新片區(qū)建設(shè)碳化硅襯底生產(chǎn)基地，滿足不斷擴(kuò)大的碳化硅半導(dǎo)體襯底材料的需求。該項目建設(shè)期為6年，自2020年10月開始前期準(zhǔn)備，計劃于2022年試生產(chǎn)，預(yù)計2026年100％達(dá)產(chǎn)。公司的“碳化硅半導(dǎo)體材料項目”已被上海市發(fā)改委列入《2021年上海市重大建設(shè)項目清單》。為實現(xiàn)產(chǎn)能擴(kuò)張，正在募資建立25億元項目。

當(dāng)前國際上正從6英寸向8英寸邁進(jìn)，而國內(nèi)企業(yè)逐步掌握碳化硅襯底的制備技術(shù)，在導(dǎo)電型襯底已經(jīng)實現(xiàn)4英寸襯底商業(yè)化，逐步向6英寸發(fā)展，疊加缺芯影響，國內(nèi)也同樣出現(xiàn)碳化硅襯底產(chǎn)能供不應(yīng)求的狀況。

“雙碳”政策下，第三代半導(dǎo)體材料的需求增加。其中新能源汽車持續(xù)發(fā)展，特別是800V高電壓平臺的熱門搭載，碳化硅襯底資源將成為功率器件的重要所需。

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