眾所周知，芯片的原材料是砂子，但從砂子變成芯片，中間要經(jīng)過N道工序，需要N種設(shè)備，同時也需要尖頂?shù)募夹g(shù)。

而這些設(shè)備中，最重要的就是光刻機、刻蝕機了，按照機構(gòu)的數(shù)據(jù)顯示，在芯片制造的所有設(shè)備中，光刻機的成本占比約為24％，而刻蝕機的占比約為20％，這兩種設(shè)備合計占比為44％。

之后再是薄膜沉積設(shè)備、測試設(shè)備和封裝設(shè)備，分別占比20％、9％、6％。不過薄膜沉積設(shè)備不只有一臺，而是一類機器，有很多種，與光刻機、刻蝕機還是不一樣的。

那么問題就來了，既然這兩種設(shè)備這么關(guān)鍵，那么國內(nèi)的光刻機、刻蝕機技術(shù)如何，與世界先進水平相比，有多大的差距？

先說光刻機，這也是大家最關(guān)心的，目前全球最頂尖的光刻機自然是ASML的0．55孔徑的EUV光刻機，售價大約為22億一臺，可生產(chǎn)2nm以下甚至埃米級（0．1nm）級的芯片。

之后再是0．33孔徑的ASML的EUV光刻機，售價10億元一臺，可生產(chǎn)5nm、4nm、3nm級別的芯片。

不過EUV光刻機只有ASML能夠生產(chǎn)，像尼康、佳能也不生產(chǎn)不了，而目前國內(nèi)廠商上海微電子能夠生產(chǎn)的，且對外公開的（不公開的不清楚），只能用于90nm工藝，離ASML至少是10年的差距。

再說說刻蝕機，這一塊國產(chǎn)就非常厲害了，國內(nèi)有一家廠商叫做中微半導體，生產(chǎn)的刻蝕機，在精度方面已經(jīng)達到了3nm，并且被臺積電采用。

而中微半導體的刻蝕機與國際頂尖水平的應用材料、泛林相比，是處于同一水平的，這一塊沒有落后。

另外再提一下薄膜沉積設(shè)備這一塊，國內(nèi)北方華創(chuàng)等也有生產(chǎn)，不過精度大約在14nm的水平，國產(chǎn)化率在10％到15％。

可見，半導體設(shè)備中的關(guān)鍵產(chǎn)品，我們其實除了光刻機外，其它的并不算特別落后，只要國產(chǎn)光刻機能夠有突破，那么純國產(chǎn)芯片的工藝也就能夠迅速突破了。