一、景氣度持續向上，半導體材料國產替代空間廣闊

　　（一）半導體材料是產業底層基礎，全球市場規模近 600 億美元

　　半導體材料處于半導體產業鏈上游，是整體半導體產業的底層基礎。半導體產業鏈整體可被分為上、中、下游三個板塊，其中上游為半導體的支撐產業，由半導體材料和半導體設備 構成；中游為半導體制造產業鏈，包含 IC 的設計、制造和封測三個環節，其生產的產品主要包括集成電路、分立器件、光電子器件和傳感器；下游則為半導體的具體應用領域，涉及消費 電子、移動通信、新能源、人工智能和航空航天等領域。半導體制造企業又可以根據運作模式分為 IDM（Integrated DeviceManufacture）和 Foundry 兩種，IDM 是指集芯片設計、制造、封裝測試到銷售等多個產業鏈環節于一身的垂直整合模式，能夠協同優化各個環節，充分發掘技術潛力，代表企業有三星、德州儀器(TI)；Foundry 是指只負責制造環節的代工廠模式，該類 模式不承擔由市場調研失誤或產品設計缺陷所帶來的決策風險，但相對前者更受制于公司間的競爭關系，代表企業包括臺積電、格羅方德和中芯國際等。在半導體產業鏈中，半導體材料位 于上游發揮著其特有的產業支撐作用，是整體半導體產業的底層基礎。

　　根據半導體制造的工藝流程，半導體材料可以被分為制造材料和封裝材料兩大類。制造材 料主要包括硅片、化合物半導體、光刻膠、光掩模、電子特氣、CMP 材料、濺射靶材和濕電 子化學品，用于 IC 制造；封裝材料主要包括封裝基板、鍵合金絲、引線框架、塑封材料等等， 用于 IC 封裝測試。

　　全球半導體材料市場規模持續，中國大陸成為全球第二大半導體材料市場。根據 SEMI 統計，2015 年全球半導體材料市場規模 433 億美元，2020 年達到 553 億美元，年復合增速達 5.01%，其中晶圓制造材料復合增速達 7.78%。2021 年全球半導體材料市場預計可達到 565 億 美元，同比增長 4.82%，繼續保持增長趨勢。分地域看，2020 年中國臺灣地區半導體材料市 場規模為 123.8 億美元，繼續位居全球第一，中國大陸市場規模超過韓國達 97.63 億美元，躍居全球第二，其次是韓國市場規模為 92.31 億美元，前三占比合計超總市場規模的一半。

　　晶圓制造材料占比逐步提高，硅片是最大的半導體材料單一市場。從半導體材料結構分布來看，2020 年晶圓制造材料規模達 349 億美元，占總材料比重從 2015 年的 55%增長到 2020 年的 63%。根據 SEMI 數據，2020 年硅片市場規模達 122 億美元，占據晶圓制造材料總規模的 35%，遠超其他制造材料穩居第一，是最大的半導體材料單一市場，電子特氣和光掩模市場規模位列第二、三位，分別為 45 和 42 億美元，而其他制造材料占比均不足 10%。

　　（二）國產替代空間廣闊，大陸市場規模超 100 億美元

　　中國大陸半導體材料市場規模增速遠超全球平均水平。2020 年，中國大陸半導體材料市 場規模全球占比為 17.65%，相較 2016 年上升了 7.65 個百分點，僅次于中國臺灣（22.39%） 位列全國第二。回望 2009-2019 年全球半導體材料銷售額，中國大陸半導體材料銷售額從 32.70 億美元增長至 86.90 億美元，年復合增長率為 10.27%，同比增速整體高于全球。根據 SEMI 統計，2020 年中國大陸市場規模同比增速達 12%，高出全球增速 7.1 個百分點，市場增長勢頭強勁。

　　國內廠商加速布局，諸多領域實現從 0 到 1 突破，半導體材料有望迎來國產化突破。由于高端產品的技術壁壘，我國半導體材料多集中于中低端領域。而自中美貿易摩擦以來，半導 體材料國產化的訴求愈發強烈。迎合國內對高端半導體材料日益增長的需求，國內半導體材料 企業加速布局產品技術研發和產能擴張。雅克科技、滬硅產業、南大光電等均募資投入研發制造。（1）雅克科技非公開發行不超過 12 億元加速半導體關鍵材料光刻膠及光刻膠配套試劑的研發，投資 2.88 億元擴大集成電路新型材料球形硅微粉的產能。（2）滬硅產業定向募集 50 億 元用于 300mm 高端硅片研發、300mm 高端硅基材料研發，加快高端半導體材料研發進度。（3） 南大光電研發 ArF 光刻膠產品并于 2021 年底建成投產，可實現年化 25 噸產能，保證集成電 路制造材料的有效供應。

　　（三）全球晶圓廠擴產趨勢下，半導體材料景氣度持續向上

　　制程的進步推動半導體材料價值量增加，需求相應進一步提升。摩爾定律是指集成電路上可容納的元器件的數目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。在摩爾定律下，芯片工藝制程的技術節點不斷向前邁進，半導體制造材料的成本也不斷上升，從而推動半 導體材料的需求提升。根據 IBS 數據顯示，每當向前推進一個節點時，流片成本將提升 50%， 其中很大部分是由于半導體制造材料價值提升所致。以光掩模為例，在 16/14nm 制程中，所用掩模成本在 500 萬美元左右，到 7nm 制程時，掩膜成本迅速升至 1500 萬美元。

　　全球晶圓廠擴產趨勢明顯，大陸新增產能尤為可觀，拉動半導體材料需求。根據 SEMI 數據顯示，2017-2020 年全球新增半導體產線共計 62 條，其中中國大陸有 26 條產線，占比超 40%。此外，全球半導體制造商將于 2021 年底前開始建設 19 座新的高產能晶圓廠，并在 2022 年再開工建設 10 座，以滿足市場對芯片的加速需求。其中，中國和中國臺灣地區將各建有 8 座，處于全球新建晶圓廠數量領先地位，其次是美洲緊隨其后，共建有 6 座。在 8 英寸晶圓方 面，SEMI 預計 2021 年全球 8 英寸晶圓廠設備支出將進一步擴大，逼近 40 億美元，而中國大陸將以 200mm的產能居全球領先地位，其市場份額將達到 18％，其次是日本和中國臺灣地區， 分別達到 16％。全球晶圓廠擴產背景下，中國大陸作為晶圓制造產能的新興領域，將進一步 拉動上游半導體材料需求。

　　二、需求推動下硅片量價齊升，國產替代蓄勢待發

　　（一）硅片是半導體制造的基石，高純度大尺寸為主流方向

　　硅片是以多晶硅為原材料，利用單晶硅制備方法形成硅棒，而后經過切割而來。一方面， 硅材料具備單向導電特性、熱敏特性、光電特性、摻雜特性等優良性能，可生長成為大尺寸高 純度晶體，契合下游半導體應用需求；另一方面，硅材料以二氧化硅和硅酸鹽方式廣泛存在于礦物、巖石中，儲量豐富、獲取成本低，故而成為當下應用最廣泛、最重要的半導體基礎材料。硅作為第一代半導體材料，占據目前絕大部分應用市場份額。從半導體器件的產值來看， 全球 95%以上的半導體器件和 99%以上的集成電路采用硅作為襯底材料。雖然第二代和第三 代材料相比其存在一定的優勢，但目前來看，硅材料在相當長的時間內依然會維持其主流半導體材料的地位。

　　根據晶胞的排列方式，硅可被劃分為單晶硅和多晶硅。其中，單晶硅的晶胞是有序、有 規律的，而多晶硅的晶胞是無序、無規律的。相比于多晶硅，單晶硅由于其晶胞規則有序，導 電能力較強，同時光電轉換效率更高，被廣泛應用于太陽能和電子領域。從制作工藝來講，多 晶硅是單晶硅的上游材料，單晶硅棒是利用直拉法或區熔法對多晶硅的原子結構進行重組而獲 得。上游多晶硅原料的主要成本為電力，國內半導體硅料的主要廠商為黃河水電，國際企業主要有德國瓦克。

　　硅片根據其下游應用可以主要分為半導體硅片和光伏硅片，半導體硅片比光伏硅片的要 求更高，其中純度為最大不同，純度要求決定制作工藝的難易。光伏領域同時使用單晶硅及多晶硅，純度要求為 99.9999%左右（4-6N），由于對純度、曲翹度等參數要求較低，其制造過 程也相對簡單。半導體領域只使用單晶硅，隨著其制程的不斷縮小，芯片制造工藝對硅片缺陷 密度與缺陷尺寸的容忍度也在不斷降低，要求其純度達到 99.999999999%（11N）以上，以通 過國際主流晶圓廠的審核認證。半導體硅片技術要求高，疊加下游需求旺盛因素，通常附加值 也較高，因此更具投資潛力。

　　成本驅動下，半導體硅片呈現向大尺寸發展趨勢，但 300mm 級半導體硅片在長時間內依 然會保持主流地位。半導體硅片是圓形，因此也叫“硅晶圓”或者“晶圓”。晶圓是芯片制造 的“基底”，所有的芯片都是在這個“基底”上制造，根據不同尺寸主要分為 300mm（12 英 寸）、200mm（8 英寸）、150mm（6 英寸）、125mm（5 英寸）、100mm（4 英寸）等規格。一方面，更大尺寸的硅片意味著可制造的芯片數量更多，相應的生產效率更高；另一方面，由 于硅片是圓形，因此制造方形芯片時不可避免地會浪費硅片圓形邊緣，圓形半徑越大，邊緣浪 費將更低，300mm 半導體硅片可使用面積達到 200mm 硅片兩倍以上，可使用率達到 2.5 倍左 右。因此，硅片尺寸越大，對晶圓廠意味著更低的生產成本。自 1970 年研發出 50mm 尺寸起， 每隔 5 年左右半導體硅片尺寸便向前發展一個等級，并于 2000 年前后發展到 300mm 等級。目前，450mm 硅片由于投資數額巨大且目前良率不理想，所以目前主流硅片還將維持在 300mm 等級。

　　（二）需求推動下硅片量價齊升，2021 硅晶圓出貨面積預計創新高

　　下游需求帶動硅片需求持續增長，2021 年出貨面積將創新高，硅片價格將保持高位。半 導體硅片在半導體制造材料中占比為 37%，是占比最高的半導體材料。90%的芯片都需要硅片 作為基礎，所以半導體硅片市場規模與半導體市場規模變化趨勢具有一致性。隨著半導體市場 規模的增長，對應全球硅片出貨面積從 2011 年的 90 億平方英寸增至 2020 年的 125 億平方英 寸，CAGR 為 3.7%。從硅片價格來看，自 2011 年開始，全球半導體硅片價格因產能過剩持續 下滑，直至 2016 年拐點出現，2017 年重回上升通道，2019 年價格升至 0.95 美元/平方英寸。考慮后疫情時代下各應用領域對各類芯片需求提升，硅片供應持續緊張，全球半導體硅片大廠 陸續展現漲價意愿。2020 年 12 月，環球晶圓表示公司目前全產能滿載，并透露已調漲 300mm 晶圓現貨價，其余產品現貨價也將逐步調漲。2021 年 3 月全球第一大半導體硅片廠商信越化 學宣布從 2021 年 4 月起對其所有硅產品的銷售價格提高 10%-20%，主要是原材料金屬硅的 成本上升和中國市場需求的強勁增長導致供應短缺。考慮到全球晶圓廠大幅擴產帶來的增量需求，預計硅片價格仍將保持高位。

　　12 英寸硅片出貨量比重超過 60%，未來仍將繼續提升。隨著終端芯片的先進制程占比持續增加，對 12 英寸硅片的需求也相應擴張，全球 12 英寸半導體硅片占總體出貨量的比重從 2010 年的 50%增至 2020 年的 63%，整體呈現穩定上升趨勢。由此可預計未來下游晶圓廠將繼 續集中于 12 英寸硅片的研發和擴產，12 英寸硅片出貨占比還將進一步增加。

　　晶圓廠大幅擴產，隨著新增產能釋放硅片需求也將繼續增長。據 SEMI 統計，全球半導體制造商將在今年年底前開始建造 19 座新的高產能晶圓廠，并在 2022 年再開工建設 10 座，這 29 家晶圓廠的設備支出預計在未來幾年將超過 1400 億美元，以 200mm 尺寸晶圓等效計算， 這 29 家晶圓廠每月可生產 260 萬片。根據芯思想統計，截止到 2021Q2，中國內地 12 英寸、8 英寸和 6 英寸及以下的晶圓制造線共有 200 條，已經投產的 12 英寸晶圓制造線有 27 條，合計 裝機月產能約 118 萬片，已經投產的 8 英寸晶圓制造線共有 28 條，合計裝機月產能約 120 萬 片；已經投產的 6 英寸及以下晶圓制造線裝機產能約 400 萬片約當 6 英寸產能。在建未完工、 開工建設或簽約的 12 英寸晶圓制造線 29 條，相關投資金額高達 6000 億元，規劃月產能達 132 萬片，在建未完工、開工建設或簽約的 8 英寸晶圓制造線 10 條，規劃產能 27 萬片/月，預計 2022-2023 年將迎來新增產能集中釋放。

　　（三）行業格局呈寡頭壟斷，國產替代蓄勢待發

　　全球半導體硅片行業市場主要由四家廠商占據，占比高達 86.6%，整體呈現寡頭壟斷格 局。半導體硅片行業市場集中度較高，根據 SEMI 數據，2020 年全球前五大半導體硅片廠商 分別為日本的信越化學、日本盛高(SUMCO)、中國臺灣地區的環球晶圓、德國 Siltronic AG 以 及韓國的 SK Siltron。其中，日本的信越化學和 SUMCO 合計份額為 49.04%，前五大廠商一共 占據全球半導體硅片市場超過 85%的份額，但相較 2019 年市場占比總和有所下降。2021 年 2 月，環球晶圓公開收購 Siltronic AG 50.8%股份，按合并后營收規模來看，環球晶圓市場份額 居第二位，占比 26.26%，此后半導體硅片市場寡頭變為四家。

　　國內硅片企業加速追趕，國產替代空間巨大。目前全球各半導體硅片大廠已陸續實現 8 英寸和 12 英寸半導體硅片的量產，且正在積極研發 12 英寸以上的更大尺寸的硅片。而我國目 前只有極少企業擁有 12 英寸的半導體硅片制造技術，國產化率不足 1%，8 英寸硅片國產化率僅達 10%，國內晶圓廠的硅片國產替代需求十分旺盛。隨著硅片市場需求的逐步擴大和半導體硅片制作技術的不斷突破，國內廠商持續擴張產能，滬硅產業、中環股份和立昂微為國內硅片制造龍頭，產銷逐年上漲。

　　立昂微是我國較早一批專業從事半導體硅片和半導體功率器件研發、生產和銷售的企業之 一，主營業務包括半導體硅片、半導體功率器件、化合物半導體射頻芯片三大板塊，以產業鏈 上下游一體化作為核心競爭優勢。立昂微子公司浙江金瑞泓、衢州金瑞泓主要從事 8 英寸及以 下半導體硅片業務，主要產品包括硅研磨片、硅拋光片、硅外延片等；子公司金瑞泓微電子主 要從事 12 英寸半導體硅片業務。就具體規格而言，公司 6 英寸硅片產線長期處于滿負荷運轉 狀態，8 英寸硅片產線的產能充分釋放，12 英寸硅片在關鍵技術、產品質量以及客戶供應上 取得重大突破，并預計將在 2021 年底達到年產 180 萬片規模的產能。營收方面，2017-2020 年公司半導體硅片業務實現的收入占主營業務收入的比例分別為 52.30%、65.62%、64.21%和 65.6%。

　　三、國產光刻膠技術有所突破，供需矛盾下迎來新機遇

　　（一）光刻膠是半導體制造關鍵材料，產業鏈涉及范圍廣泛

　　光刻膠又稱光致抗蝕劑，由成膜劑、光敏劑、溶劑和添加劑等主要化學品成分和其他助劑組成，是半導體制造的關鍵性材料。光刻膠通常應用在光刻工藝中，光刻工藝歷經硅片表面脫水烘烤、旋轉涂膠、軟烘、曝光、曝光后烘烤、顯影、堅膜烘烤、顯影檢查等工序。在光 刻過程中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經過曝光、顯影與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉移到襯底上，形成與掩膜版完全對應的幾何圖形。光刻工藝約占整個芯片制造成本的 35%， 耗時占整個芯片工藝的 40-50%，是半導體制造中最核心的工藝。

　　根據應用領域的不同，光刻膠可分為 PCB 光刻膠、LCD 光刻膠和半導體光刻膠。其中， PCB 光刻膠的技術壁壘最低，主要包括干膜光刻膠、濕膜光刻膠和光成像阻焊油墨，應用于 微細圖形加工中。LCD 光刻膠主要包括彩色光刻膠和黑色光刻膠、觸摸屏光刻膠、TFT-LCD 光 刻膠，可被用于制備彩色濾光片，沉積 ITO 制作等。半導體光刻膠的技術門檻較高，具體可 被細分為 g 線、i 線、KrF、ArF 和 EUV 線，隨著其曝光波長依次遞減其極限分布率依次上升， 從而可適用于更加先進的芯片制程。

　　（二）半導體光刻膠市場規模近 20 億美元，海外企業長期壟斷

　　全球光刻膠市場整體呈持續擴張趨勢。根據 Cision 統計，全球整體光刻膠市場規模 2019 年達到 91 億美元，預計 2022 年全球市場可達到 105 億美元的市場規模，年均復合增長率達到 5%。從結構占比看，半導體光刻膠占比最高，達到 27%， LCD 和 PCB 光刻膠比例相當，占 比均為 24%。

　　半導體光刻膠市場增速高于整體，尤其高端半導體光刻膠需求旺盛，中國半導體光刻膠 市場高速增速。近 5 年，全球半導體光刻膠市場呈快速增長趨勢，市場規模從 2015 年的 13 億美元提高到 2020 年的約 21 億美元（不包括 EUV 光刻膠），其中負膠和 g 線光刻膠市場規 模增長幅度較小，高端半導體光刻膠 ArF、KrF 光刻膠市場規模占比逐步提升，合計占比超過 總體的 75%。中國半導體光刻膠市場規模快速增長，從 2015 年約 10 億元提高到 2020 年的約 25 億元，復合增速達到 20%。

　　在半導體光刻膠細分領域，日本市場仍具有較高話語權，尤其是 ArF 光刻膠和 EUV 光 刻膠領域。日本 JSR、信越化學、東京應化和住友化學占據 ArF 光刻膠市場前四，市占率分別 為 25%、23%、20%和 15%，合計市場份額高達 83%。而在 EUV 光刻膠領域，日本企業合計 市場占比近 90%，掌握極高主導權，其中日本 JSR 作為可實現量產的廠商之一，將于 2021 年 10 月底完成對美國 Inpria 的收購，繼續增強技術優勢。Inpria 一直致力于開發基于金屬的 EUV 光刻膠，該金屬基光刻膠在干蝕刻過程中的圖案轉移性能方面優于傳統光刻膠，非常適合半導 體量產工藝。此外，在 g/i 線光刻膠和 KrF 光刻膠，日本也分別占據全球 64%和 74%的份額。

　　（三）供需關系變化帶來新機遇，國產替代迎來機遇期

　　放眼全球市場，晶圓擴產增與先進制程占比提升增加光刻膠需求，海外供應鏈不穩定加 劇供需緊張關系。從需求端來看，光刻工藝是芯片制作過程中不可缺少的一環，光刻膠在半 導體制造材料中占有穩定比例，光刻膠及光刻膠輔助材料合計占比可達總成本的 14%。隨著 下游各大晶圓廠紛紛擴產，對半導體光刻膠的需求也相應逐年提升。此外，隨著芯片制程逐漸 往先進制程發展，高價值量的 ArF、KrF 光刻膠市場占比也會相應提升，從而帶動整個光刻膠市場規模的進一步增長。2021 年 2 月 13 日，日本福島地震事件使信越化學在當地的 KrF 生產 線受到較大破壞，導致其對中國大陸多家一線晶圓廠限制供貨 KrF 光刻膠，并通知對更小規 模晶圓廠停止供貨 KrF 光刻膠，反映出海外供應鏈給供給端帶來的不穩定性。

　　半導體光刻膠行業過去主要面臨原材料、設備、技術和客戶認證四大壁壘。原材料壁壘 和設備壁壘主要是指光刻膠上游產業鏈的資源主要被海外壟斷，國內供給和定價受限，以致前 期投資規模巨大。除進口基本原料外，大部分光刻膠專用試劑和配方由于技術限制目前無法實 現國產化。高端光刻設備方面，荷蘭 ASMAL、韓國 NIKON、CANON 三家大廠實現寡頭壟 斷，市場規模合計占比超九成且定價昂貴，單臺 EUV 光刻機售價可超過 1 億歐元，致使國內 高端光刻機面臨嚴重短缺的局面。技術壁壘是進入光刻膠行業的最大壁壘，主要是指研發光刻 膠產品所面臨的各種難題，包括差異化需求的產品配方，高品質的化學品用料以及復雜的工藝 過程和嚴格的參數結果要求等等。客戶認證壁壘主要在于企業打破技術壁壘之后會面臨較長的 客戶認證周期，認證周期和下游客戶對原有生產廠商的黏性無疑給光刻膠生產廠商帶來較大的 資金壓力。

　　國內半導體光刻膠企業主要有晶瑞電材、南大光電、北京科華、上海新陽和徐州博康。晶瑞電材是老牌半導體光刻膠供應商之一，其 i 線光刻膠近年來持續向中芯國際等企業供貨， KrF 光刻膠正在客戶驗證階段（已完成中試），ArF 高端光刻膠研發工作于 2020 年下半年已正 式啟動。南大光電專注于 ArF 光刻膠的研發與生產，其年產 25 噸 ArF 光刻膠生產線已于 2021 年 7 月通過專家組績效評價驗收。北京科華是唯一被 SEMI 列入全球光刻膠八強的中國光刻膠 公司，國內客戶包括中芯國際、上海華力微電子等主流集成電路企業，在 G/I 線和 KrF 高端光 刻膠已實現量產，ArF 光刻膠項目還仍在推進中。上海新陽 KrF 厚膜膠已通過下游客戶驗證并取得訂單，ArF 光刻膠尚處于客戶認證當中。徐州博康 KrF 光刻膠已實現量產，并開始小批量 供應 ArF 光刻膠。關于 EUV 光刻膠，目前北京科華進入早期研發階段，晶瑞電材、南大光電 等大部分企業還沒有相關研發計劃。

　　四、光掩模是光刻工藝底片，臺灣市場規模領跑多年

　　（一）光掩模是光刻工藝底片，主流發展趨勢為高精度

　　光掩模是指微電子制造中光刻工藝所使用的圖形轉移工具或母版，其功能類似于傳統照 相機的“底片”。在光刻步驟，利用掩膜版上已設計好的圖案，通過顯影、刻蝕、脫模、清洗 等環節進行圖形復制，從而實現批量生產。根據光掩模基板的制作材料不同，可將光掩模分為 石英基板和蘇打基板等；根據光掩模的用途不同，可將其分為半導體光掩模、平板顯示光掩模、 電路板光掩模和觸控用光掩模等。

　　光掩模主要由透光的基板和不透光的遮光膜組成，石英基板和鉻為主流選擇。基板材料 包括樹脂基板和玻璃基板，其中由石英玻璃制成的基板具有高純度、反射率、低熱膨脹率的特 點，在使用環境上相對于其他材料對工藝生產環境的要求較低、壽命較長，主要應用于集成電 路和平板顯示器等領域。在光掩模玻璃基板需求量材料分布占比中，石英玻璃占比不斷提升， 由 2015 年的 27%提升至 2020 年的 42%。在光掩模制造成本中，直接材料占比達 67%，而基 板占直接材料的比重高達 90%，因此基板占光掩模總制造成本的比例可達 60.3%。遮光膜可分 為乳膠遮光膜和硬質遮光膜（包括鉻、硅、氧化鐵），其中鉻精度最高，耐用性更好，廣泛應 用于平板顯示、IC（集成電路）、印刷線路板和精細電子元器件。

　　（二）半導體光掩模市場持續增長，中國臺灣市場規模最大

　　下游硅晶圓需求和芯片制程的進步推動半導體光掩模市場不斷擴張。從下游應用需求占比來看，光掩模具體應用于 IC、LCD、OLED 和 PCB 等領域，其中光掩模在 IC 領域需求占 比最高，達 60%，其次為 LCD（液晶顯示屏）領域，達 23%。考慮到全球晶圓廠擴產大勢， 對半導體光掩模的需求有望將進一步增長。此外，隨著半導體芯片工藝制程的技術節點不斷邁進，晶圓線寬不斷減小，同體積芯片所能容納基礎單元結構更多，所需要的光掩模數量也相應增加。

　　中國臺灣是半導體光掩模最大市場。2019 年，全球半導體光掩模市場整體呈增長態勢，規模為 41 億美元，2022 年預計達 44 億美元。從地區分布來看，2019 年全球前三大半導體光 掩模市場依次為中國臺灣、韓國和北美，占比分別為 37.92%、20.91%和 19.33%。2012 年以來， 中國臺灣一直是半導體光掩模最大市場。近年來中國臺灣和大陸地區為全球晶圓主要擴產地，而在光掩模下游客戶選取供應商時，除了考量質量和價格因素外，運輸成本和交貨速度也是光 掩模制造商的一大競爭力因素。

　　（三）美日企業主導全球市場，國內企業奮起直追

　　半導體光掩模競爭格局為美日龍頭企業主導，行業集中度較高。全球前三大半導體光掩 模廠商分別為美國福克尼斯、大日本印刷和日本凸版印刷，其中福尼克斯的市場份額約為 13億美元，約占總市場規模的 35%，CR3 合計占據 85%的市場份額。由于各大廠對于光掩模的 生產技術實行較為嚴格的封鎖，半導體光掩模市場尤其是精密加工領域壟斷嚴重，國內僅有少 數企業如無錫華潤、無錫中微能生產 0.13μm 以上的光掩模，而對于 HTM、GTM、PSM 等光 掩模幾乎都依賴進口。

　　近年來，國內一些企業通過不斷的技術研發和產品升級，開始追趕海外龍頭企業的研究 步伐。清溢光電是國內成立最早、規模最大的光掩模生產企業之一，主要從事光掩模的研發、 設計、生產和銷售業務。2020 年公司實現營業收入 4.87 億元，同比增長 1.57%，實現歸母凈 利潤 0.76 億元，同比增長 8.55%。公司主營業務根據基材不同分為石英掩膜版、蘇打掩膜版， 占比分別為 82.13%和 16.98%。半導體光掩模方面，其深圳工廠當前的半導體芯片用掩膜版量 產能力在 0.25um 工藝水平，并預計未來量產能力由 0.25um 提升至 0.13um 工藝的量產能力。

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