SiC 器件正在取代現有 Si 器件的高影響力應用機會已經出現，包括 xEV 和鐵路電力電子設備，具有更低的損耗和更低的冷卻要求;具有降低冷卻負荷和更高效率的新型數據中心拓撲結構;用于高效大功率電動機的變頻驅動器，可降低整體系統成本;更高效、靈活和可靠的網格應用程序，減少系統占用空間;以及“更多電動航空航天”，重量、體積和冷卻系統的減少有助于節能。就電動汽車而言，目前大多數使用 400V 總線架構，因此 650V SiC 器件與成熟且堅固的硅 IGBT 競爭，而 GaN 則在利潤豐厚的牽引逆變器、DC/DC 轉換器和車載充電器中競爭市場。
因此，650-V 范圍是一個“戰場”，其中每種材料器件都帶來獨特且引人注目的競爭優勢。應該注意的是，為了提高效率——相同電池的續航里程更長或較小電池的續航里程相同——以及快速充電，電動汽車正在迅速過渡到 800V 總線架構。在此電壓下，1,200-V SiC MOSFET 具有整體優勢，因為它們于 2011 年實現商業化并經過幾代優化。現在正在發生的電動汽車中的 SiC 插入是一個批量應用機會，可以進一步刺激 SiC 制造的規模經濟和降低系統成本。應該注意的是，為了提高效率——相同電池的續航里程更長或較小電池的續航里程相同——以及快速充電，電動汽車正在迅速過渡到 800V 總線架構。在此電壓下，1,200-V SiC MOSFET 具有整體優勢，因為它們于 2011 年實現商業化并經過幾代優化。現在正在發生的電動汽車中的 SiC 插入是一個批量應用機會，可以進一步刺激 SiC 制造的規模經濟和降低系統成本。應該注意的是，為了提高效率——相同電池的續航里程更長或較小電池的續航里程相同——以及快速充電，電動汽車正在迅速過渡到 800V 總線架構。在此電壓下，1,200-V SiC MOSFET 具有整體優勢，因為它們于 2011 年實現商業化并經過幾代優化。現在正在發生的電動汽車中的 SiC 插入是一個批量應用機會，可以進一步刺激 SiC 制造的規模經濟和降低系統成本。
隨著 SiC 的持續增長，該行業正在消除大規模商業化的最后障礙，包括高于 Si 的器件成本、基面位錯 (BPD) 的存在、可靠性和堅固性問題以及對熟練掌握 SiC 的勞動力的需求電源技術跟上不斷增長的需求。目前，SiC 晶圓占 SiC 器件總成本的 55% 至 70%，這是其獨特的復雜制造細節的結果。傳統的 SiC 襯底主要通過種子升華技術在約 2,500?C 的溫度下生長，這給過程控制帶來了挑戰。晶體膨脹有限，需要使用大的優質晶種，升華生長速率可能相對較低，約為 0.5 至 2 mm/h。位錯通過晶錠傳播并存在于器件晶圓中。此外，與金剛石相當的 SiC 材料硬度使得 SiC 襯底的鋸切和拋光相對于 Si 來說速度慢且成本高。然而，在許多應用中，與 Si 相比，插入 SiC 可降低整體系統成本，盡管 SiC 器件的成本可能比其對應的 Si 器件高 2 至 3 倍。這是由于高效高頻 SiC 操作實現了無源元件小型化和冷卻系統簡化。
大多數“致命”缺陷在現代 SiC 晶圓中幾乎已被消除。BPD 是主要的殘留缺陷，會降低器件性能并影響良率。BPD 可以從晶圓襯底傳播到制造器件的外延層厚度。BPD 也可以在高溫離子注入制造過程中產生。在商用晶圓中，超過 95% 的襯底 BPD 在通過 CVD 離軸生長的外延層中傳播為相對“良性”的螺紋邊緣位錯。閾值電壓不穩定性是 SiC MOSFET 中主要的可靠性問題，它主導著基于 SiC 的電力電子應用。這主要是由于 SiC/柵極氧化物界面處的氧化物陷阱。SiC MOSFET 閾值電壓的正向偏移具有增加傳導損耗的有害影響，而負向偏移則不可取，因為它可以自發地開啟晶體管。通過利用設計權衡，可以使 SiC 器件更加堅固耐用。這與智能柵極驅動相結合，可以提供足夠的短路保護。
為了培訓寬帶隙 (WBG) 勞動力并加速清潔能源制造、創造就業機會和節能，美國能源部創建了 PowerAmerica 聯盟。今天，PowerAmerica 由會員支持/驅動，致力于解決 WBG 功率半導體技術方面的差距，以促進其發展。
PowerAmerica 是一個成員支持/驅動的聯盟，旨在解決 WBG 半導體電力技術方面的差距，以加速清潔能源制造、創造就業機會和節能。
在過去六年中，PowerAmerica 在 200 多個功率 SiC/GaN 大學/行業合作項目中投資了 1.47 億美元，涉及所有主要應用，包括汽車和鐵路牽引、車載充電器、航空航天、光伏、靈活的交流輸電系統、高壓直流系統、微電網、儲能、電機驅動、UPS 和數據中心。其教育活動已在應用 WBG 項目中培訓了 410 名大學生，并吸引了超過 3,700 名參與者參加教程、短期課程和網絡研討會。這有助于培養一支經驗豐富的員工隊伍，他們能夠熟練地充分發揮 WBG 系統的插入潛力。
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