【2023 年 4 月 13 日美國(guó)德州普拉諾訊】Diodes 公司 （Diodes） （Nasdaq：DIOD） 推出碳化硅 （SiC） 系列最新產(chǎn)品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽(yáng)能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 （DC-DC） 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 （EV） 電池充電器等應(yīng)用，對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。
DMWS120H100SM4 在高電壓 （1200V） 和汲極電流 （可達(dá) 37A） 的條件下運(yùn)作，同時(shí)維持低導(dǎo)熱性 （RθJC = 0.6°C/W），非常適合用于在惡劣環(huán)境中運(yùn)作的應(yīng)用。這款 MOSFET 的 RDS（ON） （典型值） 很低，僅 80mΩ （對(duì)于 15V 的閘極驅(qū)動(dòng)），能將傳導(dǎo)耗損降至最低，并提高效率。而這款裝置的閘極電荷僅 52nC，可減少開關(guān)耗損與降低封裝溫度。
本產(chǎn)品是市場(chǎng)上首款采用 TO247-4 封裝的碳化硅 MOSFET。額外的凱爾文感應(yīng)接腳可以接到 MOSFET 的源極，以優(yōu)化切換效能，達(dá)到更高的功率密度。
更多精彩內(nèi)容歡迎點(diǎn)擊==>>電子技術(shù)應(yīng)用-AET<<
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點(diǎn)。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無(wú)法一一聯(lián)系確認(rèn)版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問(wèn)題，請(qǐng)及時(shí)通過(guò)電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當(dāng)措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟(jì)損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。