真是逆天了，清華大學搞出了一個EUV光源方案，震驚了所有人。

最近幾天，隨著華為Mate 60的問世，麒麟9000S的熱度居高不下，國內外各種機構、個人都在拆解分析這顆芯片，得出的結論也比較多。但不管真相如何，這顆芯片使用的必然不是最先進的工藝制程，但卻獲得了不俗的性能表現，這也讓很多人十分意外，也證明了華為的芯片設計方面的能力。

那么隨著這次的突破，大家紛紛猜測，是不是國產光刻機也有了大進展。隨后，關于國產DUV光刻機和EUV光刻機的也就傳聞越來越多。目前來看，可以總結為，DUV很快就會交付使用，EUV快的話是明年。是不是非常值得期待呢？

不過大家也別著急，勁爆的消息還有很多，例如就在剛剛，突然傳出消息，清華大學正在搞一個新的EUV光源方案，他就是SSMB-EUV光源，我們先來簡單說說這個是什么意思。

大家看圖，感覺是一個環形跑道對吧，這就是它的特別之處，200米長，20米寬，也就是大。

我們都知道，ASML的EUV光刻機的光源是小型化的產品，因為光刻機是用來銷售的，涉及到運輸環節，所以決定了它的整機尺寸不能太大。而我們不需要考慮外觀尺寸的問題，能滿足需求即可。

清華大學的這個SSMB-EUV光源，功率達到了10千瓦，是ASML EUV光源250瓦功率的40倍，能夠同時支持數十臺光刻機，換句話說，一個大型的EUV光刻機工廠出現了。想象那個畫面，都挺美好的。對此，有網友評論的非常有趣，由步槍變成了機關槍，還有網友說這哪是光刻機，這是光刻炮啊！

這個大型裝置首先是利用高重頻微波電子槍產生一串電子束，長度百納秒量級。產生的電子束將在一段直線加速腔中被加速到約400 MeV，此時的電子束是脈沖分布的，間隔為加速所用微波的周期(約10 cm)。之后將這些電子束團注入到展束環中對束團進行縱向的拉伸，使電流分布由梳狀得到展平，得到在縱向上均勻分布的準連續束團。之后將該束團從展束環引出，注入到SSMB主環中進行儲存，在主環中，電子束由于激光調制器的聚束作用并在量子激發和輻射阻尼平衡下保持微聚束狀態， 束長在數十納米量級。該微聚束在輻射段被進一步壓縮到3nm左右，實現波長13.5nm的強相干輻射，從而輸出千瓦量級的EUV光。

另外，SSMB-EUV光源并不是現在才有的，早在2021年年初，相關的論文就發表在了世界頂級學術期刊《自然》上。

并且根據今年年初官方的消息，SSMB-EUV光源落戶雄安。

其實早期的極紫外光也是靠大型電子加速器獲取的，但是為了將EUV光刻機商品化，所以對EUV光源進行了小型化改造，所以其技術難度也很高。

當然，有了SSMB-EUV光源，不意味著傳統的EUV光源我們就不搞了。例如，頭一段時間，長春光機所公開了一批省科技獎提名項目，其中有五項是與光刻機有關，并且大部分都跟EUV光刻機有關，包括極紫外光光刻機光學技術。可見，我國在EUV光源領域已經取得了不少突破。

多種技術方向齊頭并進，這也是我們的傳統，哪個先完成，哪個技術先進、成本可靠、效率高，就先用哪個。

總之，SSMB-EUV光源這個方案極具創新性，把極紫外光光源變成了類似發電廠發出來的電，天然氣公司輸送的天然氣，供暖企業提供的熱水，把這些資源變成了一種原材料，根據自己的需求購買，極大的降低了EUV光刻機的復雜性，有效降低了技術難度，好處多多。

不管怎樣，從多種線索來看，有網友表示的國產EUV光刻機也快了，看來絕非空穴來風。不論是ASML的DUV光刻機還是EUV光刻機，都是西方按照他們的邏輯、技術去實現的。不意味著，我們一定要走他們走過的路，這時，中國人所具備的聰明特質，就發揮作用了。

所以，還是那句話，千萬別再用西方的過往經驗套用在中國身上，真的不適用。那么接下來，就讓我們等待更多國產半導體產業鏈的好消息吧。