5 月 13 日消息，韓媒 Alpha Biz 報(bào)道稱(chēng)，三星電子的 8 層堆疊（8Hi）HBM3E 內(nèi)存尚未正式通過(guò)英偉達(dá)的測(cè)試，仍需進(jìn)一步驗(yàn)證。
臺(tái)積電不僅向英偉達(dá)提供先進(jìn) AI GPU 的代工，同時(shí)還負(fù)責(zé) AI GPU 同 HBM 內(nèi)存間的 CoWoS 先進(jìn)封裝，因此也是英偉達(dá)驗(yàn)證審核過(guò)程的重要參與者。
一位熟悉三星電子與英偉達(dá)間供應(yīng)關(guān)系的消息人士向韓媒表示，三星電子 8Hi HBM3E 的驗(yàn)證流程就是卡在臺(tái)積電審批環(huán)節(jié)。
這位消息人士宣稱(chēng)，三星產(chǎn)品未能通過(guò)測(cè)試的主要原因是臺(tái)積電在檢測(cè)中“采用了基于 SK 海力士 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)定的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)”。
三星電子同 SK 海力士在 HBM3E 內(nèi)存的工藝上存在不少差異，比如前者采用 TC-NCF （熱壓非導(dǎo)電薄膜）鍵合，后者采用 MR-RUF（批量回流模制底部填充），這必然會(huì)在一定程度上影響參數(shù)。
消息人士認(rèn)為，如果針對(duì)三星電子產(chǎn)品的檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)有所調(diào)整，那三星 HBM3E 內(nèi)存通過(guò)英偉達(dá)的供應(yīng)測(cè)試“不成問(wèn)題”。
三星電子早前表示其 8Hi HBM3E 內(nèi)存已于上月進(jìn)入量產(chǎn)階段，12Hi HBM3E 的量產(chǎn)也將在本季度達(dá)成。
