5月28日消息，根據(jù)wccftech的報道，雖然此前臺積電公開表示其路線圖上的最尖端制程A16仍將不會采用High NA EUV光刻機，但是最新的消息顯示，臺積電有可能會修正其既定計劃，提前導入High NA EUV光刻機進行試驗和學習。

為了在先進制程技術(shù)上重回領(lǐng)先地位，英特爾已經(jīng)率先斥巨資拿下了ASML的首批High NA EUV光刻機，預計先在即量產(chǎn)的Intel 18A制程節(jié)點上進行驗證和學習，然后再將High NA EUV光刻機應(yīng)用于Intel 14A制程的量產(chǎn)。

相比之下，臺積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強曾公開表示，雖然對High NA EUV能力印象深刻，但設(shè)備價格超過 3.5 億歐元（3.78 億美元）。目前的標準型EUV光刻機，仍可以支持臺積電尖端制程的生產(chǎn)到2026年，其最新曝光的尖端制程A16也將會繼續(xù)采用標準型EUV光刻機來進行生產(chǎn)。

不過，據(jù)《韓國商報》報道，在5月26日的臺積電“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動上，臺積電總裁魏哲家罕見沒有參加，原因是其秘密訪問了ASML位于荷蘭的總部。ASML CEO Christopher Fuke和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF執(zhí)行長Nicola Leibinger-Kammüller近日在社群媒體上貼文中披露了魏哲家到ASML拜訪。

這也使得市場傳出消息稱，在英特爾拿下首批幾套的High NA EUV曝光機之后，魏哲家這次的密訪動作就是表達了也希望能獲得該新設(shè)備的立場。

報道指出，雖然臺積電預計在A16制程技術(shù)后的產(chǎn)品才考慮采用High NA EUV光刻機，但是魏哲家密訪ASML總部的動作引發(fā)了大家的議論，臺積電有可能會修正其原定的計劃，提前采用High NA EUV光刻機。不過，即使臺積電獲得High NA EUV光刻機，也不能立刻用到其最新的制程上，需要提前對新設(shè)備進行各種試驗與學習。