2月19日，泛林集團宣布推出全球首個利用金屬鉬的能力生產(chǎn)尖端半導(dǎo)體的工具ALTUS Halo，可以為先進半導(dǎo)體器件提供卓越的特征填充和低電阻率、無空隙鉬金屬化的高精度沉積。

泛林集團表示，ALTUS Halo是ALTUS 產(chǎn)品系列的最新成員，目前正在與所有領(lǐng)先的芯片制造商進行資格認證和爬坡，它代表了半導(dǎo)體金屬化新時代的轉(zhuǎn)折點，為未來人工智能、云計算和下一代智能設(shè)備的高級存儲器和邏輯芯片的擴展鋪平了道路。

ALTUS Halo 利用鉬的潛力隨著下一代應(yīng)用的性能要求不斷提高，對更先進半導(dǎo)體和新制造工藝的需求也在增加。金屬的逐原子沉積在當今所有尖端芯片的制造中都是必不可少的。鎢基原子層沉積技術(shù)由泛林集團率先提出，二十多年來一直是用于接觸和線的沉積和無空隙填充的主要金屬化技術(shù)。然而，為了在未來擴展 NAND、DRAM 和邏輯器件，芯片制造商需要將金屬化程度轉(zhuǎn)變?yōu)槌侥壳版u集成所能實現(xiàn)的程度。憑借 ALTUS Halo，泛林集團在半導(dǎo)體行業(yè)從鎢到鉬的過渡中發(fā)揮著領(lǐng)導(dǎo)作用。

“基于泛林集團深厚的金屬化專業(yè)知識，ALTUS Halo 是 20 多年來原子層沉積領(lǐng)域最重大的突破，”Lam Research 高級副總裁兼全球產(chǎn)品集團總經(jīng)理 Sesha Varadarajan 說。“它匯集了泛林集團的四站模塊架構(gòu)和 ALD 技術(shù)的新進展，為大批量制造提供工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興和未來芯片變化的關(guān)鍵要求，包括 1,000 層 3D NAND、4F2DRAM 和先進的 gate-all-around logic。

鉬實現(xiàn)下一代芯片

所需的低電阻金屬化為了使半導(dǎo)體工作，快速電信號通過 3D NAND 字線等連接來發(fā)送命令。納米級特征被蝕刻，當不能使用銅時，它們傳統(tǒng)上會填充鎢以形成必要的連接。金屬電阻率越低，信號速度越快。此外，在傳統(tǒng)的鎢基布線中，會添加額外的阻擋層以防止不必要的電氣相互作用。隨著 NAND、DRAM 和邏輯擴展到更復(fù)雜的架構(gòu)（包括 3D 集成），電信號必須通過更嚴格的連接。這增加了瓶頸和速度變慢的可能性，在某些情況下還增加了電氣短路的可能性。

鉬是這些和未來應(yīng)用的理想金屬，因為它在納米級線中的電阻率低于鎢，并且不需要粘附層或阻擋層，從而減少了工藝步驟的數(shù)量，提高了效率并有助于提高芯片速度。基于數(shù)十年的金屬化和先進開發(fā)專業(yè)知識，以及沉積技術(shù)的新創(chuàng)新，Lam 首次使鉬的 ALD 可用于大規(guī)模生產(chǎn)。在大多數(shù)情況下，與傳統(tǒng)的鎢金屬化相比，ALTUS Halo 的電阻提高了 50% 以上。

ALTUS Halo 已開始量產(chǎn)

ALTUS Halo 提供半導(dǎo)體行業(yè)中最精確、最先進的鉬沉積。ALTUS Halo 工具系列針對一系列金屬化需求進行了優(yōu)化，能夠使用化學(xué)和熱柔韌性以及等離子體為溫度敏感應(yīng)用進行保形或選擇性沉積，并帶有自下而上的填充特征。

在韓國和新加坡設(shè)有晶圓廠的領(lǐng)先大批量 3D NAND 制造商以及先進的邏輯晶圓廠已開始采用早期采用，同時 DRAM 客戶的開發(fā)仍在繼續(xù)。

“鉬金屬化的集成使美光能夠在最新一代 NAND 產(chǎn)品中率先推出行業(yè)領(lǐng)先的 I/O 帶寬和存儲容量，”美光 NAND 開發(fā)公司副總裁 Mark Kiehlbauch 說。“泛林集團的 ALTUS Halo 工具使美光能夠?qū)f投入大規(guī)模生產(chǎn)。”