4 月 1 日消息，日本芯片制造商 Rapidus 今日表示，該企業(yè)計劃在本月內基于已安裝的前端設備啟動中試線，實現 EUV 機臺的啟用并繼續(xù)引入其它設備，推進 2nm GAA 先進制程技術的開發(fā)。

Rapidus 將在本財年（結束于明年三月底）內向先行客戶發(fā)布 2nm 節(jié)點的 PDK（制程設計套件），為 2027 財年的中試線完成建設、測試芯片驗證乃至最終量產做好準備。

而在先進封裝方面，該企業(yè)計劃啟動中試線項目，進一步開發(fā)所需的 RDL 重布線層、3D 封裝技術、KGD（IT之家注：Known Good Die，已知良品裸晶）篩選技術，并為客戶構建封裝組裝設計套件 ADK。

▲ Rapidus IIM 晶圓廠，攝于 3 月 27 日

日本經濟產業(yè)省當地時間昨日批準了對 Rapidus 的 2025 財年資助計劃，前端與后端工藝各分得至高 6755 億日元和 1270 億日元，合計 8025 億日元（現匯率約合 389.32 億元人民幣），多年累計則達到了 1.7225 萬億日元。