EDA與制造相關文章 三星前員工涉嫌向韓國泄露國產內存秘密被中國警方逮捕 據多家媒體報道，韓國駐華大使館于10月28日表示，一名50歲韓國男子A某因涉嫌“向韓國泄露中國半導體信息”，被以“間諜罪”于去年12月被中國警方拘留。 這是自去年 7 月中國修訂的《反間諜法》生效以來，第一起根據該法逮捕韓國人的案件。 報道稱，A某現居安徽省合肥市，在當地一家半導體公司工作，與妻子和兩個女兒一起生活。 A某曾就職于三星電子半導體部門擔任離子注入技術員二十余年，2016年開始移居中國，加入了中國最大的DRAM內存芯片制造商CXMT，當時該公司首次招募了10 名韓國半導體專業人員。隨后他在離開長鑫存儲后，又相繼在另外兩家中國半導體公司任職。 發表于：10/31/2024 德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規模，產能提升至原來的四倍 中國北京（2024 年 10 月 28 日）– 德州儀器 （TI）（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 （GaN） 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產。隨著會津工廠投產，加上德州儀器現有 GaN 制造產能，德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產能將提升至原來的四倍。 發表于：10/31/2024 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓， 突破技術極限并提高能效 【2024年10月29日, 德國慕尼黑訊】繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）再次在半導體制造技術領域取得新的里程碑。 發表于：10/30/2024 消息稱三星下代400+層V-NAND 2026年推出 10 月 29 日消息，《韓國經濟日報》當地時間昨日表示，根據其掌握的最新三星半導體存儲路線圖，三星電子將于 2026 年推出的下代 V-NAND 堆疊層數超過 400，而預計于 2027 年推出的 0a nm DRAM 則將采用 VCT 結構。 三星目前最先進的 NAND 和 DRAM 工藝分別為第 9 代 V-NAND 和 1b nm（12 納米級）DRAM。 發表于：10/30/2024 英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓 10月29日消息，據英飛凌官方消息，近日，英飛凌在處理和加工史上最薄的硅功率晶圓方面取得了突破性進展，該直徑為300mm的晶圓的厚度僅為20μm，僅有頭發絲的四分之一，是目前最先進的40-60μm晶圓厚度的一半。英飛凌表示，這是其繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓和在馬來西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導體晶圓廠之后，再次在半導體制造技術領域取得新的里程碑。 發表于：10/30/2024 商務部回應歐盟對華電動汽車反補貼調查終裁 10 月 30 日消息，從商務部官網獲悉，商務部新聞發言人就歐盟公布對華電動汽車反補貼調查終裁結果答記者問。 發表于：10/30/2024 消息稱臺積電擬收購更多群創工廠擴產先進封裝 據報道，半導體設備公司的消息人士透露，今年8月收購了群創在南科的5.5代LCD面板廠的臺積電，打算在其已收購的工廠附近收購更多的群創工廠。 發表于：10/30/2024 國產廠商的光芯片布局解析 " 人工智能需求促使高速光模塊需求量劇增，光芯片供應小于需求，目前缺口較大。" 光瓴時代（無錫）半導體有限公司（下稱 " 光瓴時代 "）創始人張杰向財聯社記者表示道。隨著 AI 服務器對 800G、1.6T 等高速光模塊的需求增加，光模塊的重要零組件光芯片陷入緊缺。 發表于：10/29/2024 2024年全球晶圓廠設備收入將達1330億美元 近日，市場研究機構Yole Group最新的報告顯示，目前半導體行業正處于強勁的上升軌道上，預計到 2024 年全球晶圓廠設備 （WFE）收入將達到 1330 億美元，同比增長 19%。其中，其中83%來自設備出貨，17%來自服務和支持。但是不同設備細分市場的增長將有很大差異。 Yole Group 分析師將2024年WFE市場的增長主要歸因于市場對面向生成式AI的DRAM/HBM 和處理器的投資增長，而 NAND Flash的資本支出仍然疲軟，傳統邏輯和專業市場的資本支出則面臨潛在風險。在這種不確定的環境中，WFE 供應商正在通過使其應用組合多樣化來維持或提高其收入水平，從而應對不均衡的資本支出。 發表于：10/29/2024 算能科技回應被臺積電停止供貨 10月27日消息，據業內最新消息，當美國商務部開始調查臺積電涉嫌向被禁企業提供芯片之時，臺積電于本月早些時候停止了向中國廈門算能科技（SOPHGO）供應芯片。 不過該消息并未證實算能科技被臺積電停止供貨是否與臺積電被美國商務部調查一事有關。 發表于：10/28/2024 英特爾宣布擴容成都封裝測試基地 英特爾宣布擴容成都封裝測試基地，增加服務器芯片服務 發表于：10/28/2024 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 Intel85億美元芯片法案資金仍未獲支付 發表于：10/28/2024 武漢光電國家研究中心團隊攻克芯片光刻膠關鍵技術 重大突破！芯片光刻膠關鍵技術被攻克：原材料全部國產 配方全自主設計 發表于：10/28/2024 TrendForce預計2025年成熟制程產能將年增6% 10 月 24 日消息，根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查，受國產化浪潮影響，2025 年國內晶圓代工廠將成為成熟制程增量主力，預估 2025 年全球前十大成熟制程代工廠的產能將提升 6%，但價格走勢將受壓制。 發表于：10/25/2024 SK海力士三季度HBM營收暴漲330% 10月24日，韓國存儲芯片大廠SK海力士（SK Hynix）今日發表截至9月30日的2024年第三季財報。得益于成功抓住AI存儲的需求，以及高附加值的HBM的銷售額同比暴漲330%，推動SK海力士三季度業績超出市場預期，凈利潤更是創下歷史新高。 發表于：10/25/2024 ?…43444546474849505152…?
