EDA與制造相關(guān)文章 中國新公司的涌現(xiàn)速度超過了美國禁令所能打擊的速度 中國新公司的涌現(xiàn)速度超過了美國禁令所能打擊的速度 發(fā)表于：8/6/2024 極氪首位人形機器人員工上崗 8月5日消息，優(yōu)必選科技近日宣布與吉利和天奇股份建立戰(zhàn)略合作關(guān)系。 三方將利用各自的優(yōu)勢資源，共同推動人形機器人在汽車及零部件智能制造領(lǐng)域的應(yīng)用，并聯(lián)合創(chuàng)建創(chuàng)新示范項目 發(fā)表于：8/6/2024 三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝 三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝，較上代厚度減約 9% 發(fā)表于：8/6/2024 SEMI：第二季全球半導(dǎo)體硅片出貨面積環(huán)比增長7.1% SEMI：第二季全球半導(dǎo)體硅片出貨面積環(huán)比增長7.1%，創(chuàng)四個季度新高 發(fā)表于：8/5/2024 安森美旗下氮化鎵芯片代工廠BelGaN申請破產(chǎn) 8月3日消息，位于比利時奧德納爾德的氮化鎵（GaN）芯片代工廠BelGaN已申請破產(chǎn)。 資料顯示，BelGaN團(tuán)隊和工廠源于1983年成立的MIETEC，后來該公司被阿爾卡特收購，再后來又被AMI Semiconductor收購，2008年，該公司又被出售給了安森美半導(dǎo)體，并于2009年開始開發(fā)GaN，致力于成為歐洲領(lǐng)先的6英寸和8英寸氮化鎵汽車半導(dǎo)體代工廠。 發(fā)表于：8/5/2024 SK海力士計劃在2025年底量產(chǎn)400層NAND Flash 8月3日消息，據(jù)etnews報道，SK海力士計劃在2025年上半年量產(chǎn)321層NAND Flash之后，在2025年底開始量產(chǎn)400層NAND Flash，并希望在2026年上半年過渡到大規(guī)模生產(chǎn)。 然而，要想量產(chǎn)高達(dá)400層的NAND Flash并不容易，生產(chǎn)過程中需要用到多種鍵合技術(shù)。SK海力士已經(jīng)在審查用于鍵合的新材料，并研究各種技術(shù)，這些技術(shù)將允許通過拋光、蝕刻、沉積和布線等方法連接不同的晶圓。 整個過程需要幾個步驟，如Cell結(jié)構(gòu)設(shè)計，重點是每層Cell的排列和堆疊。然后通過清洗和沉積SiO2和Si3N4薄膜層來制備硅片。然而，當(dāng)通過大量重復(fù)逐一堆疊層時，該過程需要細(xì)致地執(zhí)行。 發(fā)表于：8/5/2024 傳臺積電將收購群創(chuàng)5.5代LCD面板廠 8月2日消息，近期市場傳出消息稱，臺系顯示面板大廠群創(chuàng)去年關(guān)閉的5.5代LCD面板廠——臺南四廠即將被臺積電收購，目的是擴充CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能。 發(fā)表于：8/5/2024 是德科技推出System Designer for PCIe®和Chiplet PHY Designer 是德科技（NYSE：KEYS）宣布推出System Designer for PCIe®，這是其先進(jìn)設(shè)計系統(tǒng) （ADS） 軟件套件中的一款新產(chǎn)品，支持基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的仿真工作流程，可用于仿真高速、高頻的數(shù)字設(shè)計。System Designer for PCIe 是一種智能的設(shè)計環(huán)境，用于對最新的PCIe Gen5 和 Gen6 系統(tǒng)進(jìn)行建模和仿真。是德科技還在改進(jìn)其電子設(shè)計自動化平臺，通過為現(xiàn)有的 Chiplet PHY Designer 工具增加新功能，評估Chiplet中芯片到芯片的鏈路裕度性能，并對電壓傳遞函數(shù) （VTF） 是否符合相關(guān)參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測量。 發(fā)表于：8/2/2024 瑞薩電子完成對澳大利亞設(shè)計工具廠商Altium的收購 8月1日，日本瑞薩電子宣布與全球電子設(shè)計系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)者Altium Limited（簡稱“Altium”）宣布，瑞薩電子成功完成了對Altium的收購。瑞薩電子在2024年2月15日就宣布了以91億澳元（約59億美元）收購 Altium 的最終協(xié)議 發(fā)表于：8/2/2024 泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù)Lam Cyro 3.0 為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0 8 月 1 日消息，泛林集團(tuán) Lam Research 當(dāng)?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質(zhì)蝕刻技術(shù) Lam Cyro 3.0。 發(fā)表于：8/2/2024 Alphawave發(fā)布業(yè)界首顆24Gbps 3nm UCIe半導(dǎo)體芯粒 8 月 1 日消息，Alphawave Semi 公司最新研發(fā)出業(yè)界首款 3nm UCIe 芯粒（chiplet），為采用臺積電 CoWoS 封裝技術(shù)的系統(tǒng)級封裝（system-in-packages，SiP）實現(xiàn) die-to-die 連接。 發(fā)表于：8/2/2024 中國成韓國半導(dǎo)體最大市場 8月1日消息，2024年1至7月，韓國對華半導(dǎo)體出口額達(dá)到748億美元，約合人民幣5400億元，超過美國成為韓國半導(dǎo)體最大的出口市場。 這一數(shù)據(jù)顯示了中國在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中的重要地位，以及韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在中國市場的強勁增長勢頭。 韓國7月份的出口額同比增長13.9%，達(dá)到574.9億美元，連續(xù)10個月實現(xiàn)同比增長。 發(fā)表于：8/2/2024 一圖讀懂《工業(yè)機器人行業(yè)規(guī)范條件（2024版）》 一圖讀懂《工業(yè)機器人行業(yè)規(guī)范條件（2024版）》 發(fā)表于：8/2/2024 傳應(yīng)用材料申請美國芯片法案補貼被拒 據(jù)彭博社報道，美國商務(wù)部已于當(dāng)?shù)貢r間7月29日拒絕了美國半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料（Applied Materials）的芯片法案補貼申請，這或?qū)⒂绊憫?yīng)用材料在硅谷建研發(fā)中心的計劃。 發(fā)表于：8/1/2024 三星計劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品 8 月 1 日消息，韓媒 Business Korea 昨日（7 月 31 日）報道，在 2024 年第 2 季度財報電話會議上，三星公司高管公布：“第五代 8 層 HBM3E 產(chǎn)品目前已交付客戶評估，計劃 2024 年第 3 季度開始量產(chǎn)”。 發(fā)表于：8/1/2024 ?…64656667686970717273…?
