頭條 英特爾正式宣布出售Altera 51%股份 4 月 14 日消息，英特爾北京時間 20:30 正式宣布同私募股權(quán)企業(yè) Silver Lake 銀湖資本達成 FPGA 子公司 Altera 股份出售協(xié)議。Silver Lake 將以 87.5 億美元的估值買下 Altera 51% 的股份，英特爾繼續(xù)持有剩余 49% 股份。 最新資訊 大聯(lián)大控股通過汽車電子標準認證的Richtek RTQ7880 QT產(chǎn)品特性 2018年10月25日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎力推立锜科技（Richtek）通過汽車電子標準認證的USB Type-C PD 和PWM Buck-Boost控制器解決方案。 發(fā)表于：10/27/2018 “氮化物半導(dǎo)體新結(jié)構(gòu)材料研究”將作為重點研發(fā)計劃 氮化物是氮與電負性比它小的元素形成的二元化合物。由過渡元素和氮直接化合生成的氮化物又稱金屬型氮化物。它們屬于 “間充化合物”，因氮原子占據(jù)著金屬晶格中的間隙位置而得名。這種化合物在外觀、硬度和導(dǎo)電性方面似金屬，一般都是硬度大、熔點高、 化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，并有導(dǎo)電性。鈦、釩、鋯、鉭等的氮化物堅硬難熔，具有耐化學(xué)腐蝕、耐高溫等特 點。例如，TiN熔點為2 930～2 950℃，是熱和電的良導(dǎo)體，低溫下有超導(dǎo)性，是制造噴氣發(fā)動機的材料。ZrN在低溫有超導(dǎo)性，現(xiàn)用作反應(yīng)堆材料。 發(fā)表于：10/27/2018 英偉達、美光產(chǎn)品反應(yīng)一般，高端顯卡有待提高 包括英偉達 Nvidia 和美光在內(nèi)的主要芯片股周二 (23 日) 因半導(dǎo)體行業(yè)看跌情緒而受到目標價格的下調(diào)。 發(fā)表于：10/27/2018 地平線攜手全志科技 打造嵌入式人工智能一站式解決方案 2018年10月23日－26日，中國國際社會公共安全產(chǎn)品博覽會在中國國際展覽中心新館舉行。安博會期間，地平線與全志科技宣布達成戰(zhàn)略合作。雙方還在安博會上聯(lián)合推出了面向行業(yè)應(yīng)用開發(fā)的集成了AI芯片與算法的嵌入式視覺人工智能一站式解決方案。該解決方案基于雙方共同推出的旭日X1600系列智能識別模組。 發(fā)表于：10/27/2018 TSMC與新思科技合作為TSMC WoW和CoWoS封裝技術(shù)提供設(shè)計流程 新思科技Design Platform支持TSMC WoW直接堆疊和CoWoS技術(shù)。 解決方案包括多裸晶芯片和中介層（Interposer）的版圖實現(xiàn)、寄生參數(shù)提取和時序分析以及物理驗證。 發(fā)表于：10/27/2018 臺積電張忠謀：半導(dǎo)體要全靠未來的努力才能維持領(lǐng)先 據(jù)臺媒報道，臺積電創(chuàng)辦人張忠謀23日接受電臺專訪時表示，對于退休生活“很習(xí)慣”，但并不是完全退休，因為在寫自傳下冊，第一個篇章是在德州儀器任職時的25年，之后就是寫臺灣生涯。談到臺灣地區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)往后的發(fā)展，張忠謀認為“完全要靠未來的努力”，才能維持領(lǐng)先地位。 發(fā)表于：10/26/2018 投行接連看空 美半導(dǎo)體板塊風光不再 美國半導(dǎo)體行業(yè)巨頭AMD（超威半導(dǎo)體）25日發(fā)布的三季度財報顯示，AMD三季度營收和四季度指引均遜于市場預(yù)期。截至當日早間美股收盤，AMD大跌9.17%至22.79美元，與9月13日所創(chuàng)年內(nèi)高點34.14美元相比已跌去33.25%，進入技術(shù)性熊市。 發(fā)表于：10/26/2018 LG Innotek總裁：中國熱電半導(dǎo)體的市場潛力巨大 10月25日，韓國LG集團下屬尖端材料和元件制造商 LG Innotek首次于中國舉辦論壇，展示最新的熱電半導(dǎo)體技術(shù)，以此正式拓展中國市場。 發(fā)表于：10/26/2018 臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年增速或超過5% 臺灣工業(yè)研究部門10月24日發(fā)布研究報告稱，受惠領(lǐng)先廠商先進制程技術(shù)優(yōu)異以及產(chǎn)品訂單升溫等，臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值今年有望達2.7兆元新臺幣(約合人民幣6000億元)，年增5%以上。 發(fā)表于：10/26/2018 MIT 的研究人員利用石墨烯，制備各種非硅半導(dǎo)體材料 砷化鎵、氮化鎵以及氟化鋰等材料的性能勝過硅材料，但是目前用它們制備功能器件，成本仍十分高昂。而現(xiàn)在，MIT 的研究人員開發(fā)了一種新技術(shù)，可制備多種超薄的非硅半導(dǎo)體薄膜，比如砷化鎵、氮化鎵以及氟化鋰柔性薄膜。研究人員表示，利用該技術(shù)，可制備任意半導(dǎo)體元素組合的柔性電子器件，并且成本低。 發(fā)表于：10/26/2018 ?…61626364656667686970…?
