| 一種12 GHz的高增益低噪聲放大器 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：572 K | |
| 標簽： GaAs pHEMT LNA 共電流兩級結構 | |
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| 文檔介紹：通過分析GaAs pHEMT器件特性設計了一款兩級高增益、低功耗的低噪聲放大器。采用兩級結構提高低噪聲放大器的增益，設計了一種共用電流結構，降低了放大器的功耗，同時降低電路噪聲。輸入、輸出匹配均采用LC階梯匹配網絡，具有良好的匹配性，并使用CAD軟件對電路進行設計優化。電路仿真結果表明，在中心頻率12 GHz下實現了增益為27.299 dB、噪聲系數為0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能，工作帶寬為600 MHz。此低噪聲放大器作為12 GHz頻段的接收機的前端設計研究，具有一定意義。 | |
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