微波射頻相關文章 Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業內最低導通電阻記錄 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 3 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm x 2mm。 發表于：3/28/2014 Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業內最低導通電阻記錄 Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK® SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm x 2mm。 發表于：3/27/2014 Vishay發布新款高穩定性薄膜片式電阻實驗室樣品套件 今天發布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402 e3和TNPW0603 e3封裝的大約100個最常用阻值，嚴格的電阻公差為0.1%，溫度系數低至±25ppm/K。TNPW0402 e3 (LTW0402 e3 96/4) 提供的40個電阻對應E-96系列的所有第4檔數值，阻值為51.1Ω～100kΩ。TNPW0603 e3 (LTW0603 e3 96/4)提供的20個電阻對應所有第4檔數值，阻值為10Ω～332kΩ。 發表于：3/18/2014 富士通半導體推出擁有1Mb內存的全新FRAM器件 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，成功開發出擁有1Mb內存(128K字符X 8位)的全新FRAM產品---MB85RC1MT，是所有富士通半導體I2C串行接口產品中最高內存容量的產品，且即日起即可為客戶提供樣品。 發表于：2/28/2014 Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存 全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司今天宣布推出突破性的Spansion® HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數量和空間。主要的片上系統（SoC）制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。 發表于：2/19/2014 意法半導體(ST)推出新款先進的9軸運動和位置傳感器，鎖定尺寸更小、更智能的電子產品應用 意法半導體（ST），推出最先進的9軸運動位置傳感器模塊。新產品將目標應用鎖定下一代移動設備和穿戴式裝置市場。 發表于：1/23/2014 意法半導體(ST)650V碳化硅二極管具有獨一無二的雙管配置，可提高安全性、能效并節省空間 意法半導體的新雙管配置碳化硅(SiC)肖特基二極管是市場上同類產品中首款每只管子額定電壓650V且共陰極或串聯配置的整流二極管，可用于交錯式或無橋型功率因數校正(PFC)電路。 發表于：1/17/2014 Spansion為多圖像應用提供業界領先性能的雙四路串行閃存 2013年12月19日，中國北京 —— 全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司（紐約證交所代碼：CODE）今天宣布推出一個新的串行外設接口（SPI）閃存產品家族。為了滿足汽車儀表板與工業人機交互界面等多圖像應用的需求，該產品家族具備業內最高的讀取性能與最小的封裝占板面積。Spansion® FL 雙四路 SPI 產品家族的啟動時間與代碼執行時間非常短，快速圖片讀取性能可達到160MB/s，比目前最快的其他SPI提升240%。 發表于：12/31/2013 Spansion 通過推出行業內最高性能的 1.8V 串行 NOR閃存 擴展其閃存產品種類 2013年12月19日，中國北京 —— 全球行業領先的嵌入式市場閃存解決方案創新廠商Spansion 公司今天推出高性能1.8V NOR閃存：Spansion® FS-S 閃存產品家族，進一步豐富了其高速串行NOR閃存產品線。 發表于：12/31/2013 GreenChip令X電容放電器的功耗降至1毫瓦 恩智浦半導體NXP SemiconductorsN.V. (NASDAQ：NXPI) 今日宣布推出GreenChip? TEA1708——一款用于X電容的自動放電IC，其可在230 V (AC) 下實現1毫瓦的極低功耗。傳統電源依靠電阻對用來降低EMI (電磁干擾) 的X電容器進行放電。電源與主電源斷開之后，通過TEA1708對X電容進行自動放電，相比采用電阻放電可以降低20 – 30 mW的功耗。 發表于：12/23/2013 意法半導體(ST) 推出新的防潮射頻功率晶體管， 加強在射頻功率市場的表現 意法半導體推出兩款新的防潮射頻(RF，radio-frequency）功率晶體管，以提高目標應用在高潮濕環境內的耐用性和可靠性。 發表于：12/23/2013 意法半導體（ST）“無拖尾電流”600V IGBT突破功率設計限制 意法半導體的先進的V系列600V溝柵式場截止型（trench-gate field-stop）IGBT具有平順、無拖尾電流的關機特性，飽和電壓更是低達1.8V，最大工作結溫高達175°C，這些優點將有助于開發人員提高系統能效和開關頻率，并簡化散熱設計和電磁干擾(EMI)設計。 發表于：12/16/2013 美高森美推出用于國防、航天、工業和醫療應用的 高可靠性、低電壓齊納二極管產品 致力于提供功率、安全、可靠與高性能半導體技術方案的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)宣布推出全新 1-2.4 V齊納二極管產品，與標準齊納二極管相比，提供最高4x的更好的電壓調節性能和最高40x的典型泄漏電流改進。 發表于：12/10/2013 貿澤推出TE Connectivity的防塵防潮型DEUTSCH 369連接器 2013年11月28日，貿澤電子 (Mouser Electronics) 現庫存TE Connectivity (TE) DEUTSCH 369 系列緊湊型高可靠連接器。這款IP67等級連接器非常適合極端灰塵或高壓力及水下環境，可在條件受限或不可視情況下輕松配接。 發表于：11/29/2013 富士通半導體攜手武漢力源推出富士通FRAM免費樣片申請活動 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，攜手武漢力源信息技術股份有限公司（P&S）推出了富士通鐵電存儲器(FRAM)免費樣片申請活動。本次活動面向廣大電子工程師群體，旨在通過本次活動讓更多人了解、熟悉富士通半導體的FRAM系列產品。 發表于：11/19/2013 ?…79808182838485868788…?
