微波射頻相關文章 美高森美提供世界唯一自加密0.5TB 2.5” SATA SLC固態驅動器應對數據存儲安全威脅 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)發布全球唯一的安全性0.5 TB (half-terabyte) 固態驅動器(solid state drive, SSD)產品，用于移動視頻監控運作、存儲域網絡(SAN)和其它需要出色的實時數據保護的大容量存儲應用。堅固耐用的TRRUST-Stor? Series 200 2.5” SATA SSD在持續的200 MB/s速率下運作，并且提供低于10s的業界最快速完全硬件基礎擦除時間，這款自加密0.5TB SSD現在可以供貨，目前付運至數家客戶，用于支持需要大容量安全存儲能力的應用。 發表于：8/29/2013 意法半導體(ST)進一步擴大市場領先的MEMS產品組合，推出世界最小的電子羅盤模塊，實現更順暢且更智能的功能 意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM），利用其先進MEMS技術在一個封裝內整合3軸加速度計和3軸磁力計，成功開發出世界上最小的電子羅盤模塊。 發表于：8/1/2013 一種基于閃存固態盤的內存交換區空間分配方案 針對閃存固態盤語義缺失特性，提出了一種帶有語義感知的交換區空間分配方案，減少了交換系統中Trim命令的使用次數，進而減少內存交換系統中的時間開銷，提高程序運行的性能。 發表于：7/30/2013 Molex MX150 非密封連接器系統以經過現場驗證的MX150 端子系統為基礎，采用成本設計方法構建 全球領先的全套互連產品供應商Molex公司推出用于汽車工業直接連接或同軸(in-line)中等功率車身電子應用的MX150?非密封連接器系統，用于內部照明、控制臺、梳妝鏡、座椅和門鎖等空間受限場合。新型非密封連接系統使用目前獲得眾多線束制造商部署使用及經過現場驗證的Molex MX150端子設計，較傳統USCAR 1.50mm接口顯著節省空間。 發表于：7/15/2013 Diodes芯片尺寸封裝的肖特基二極管實現雙倍功率密度 Diodes公司(Diodes Incorporated) 推出首款采用了晶圓級芯心尺寸封裝的肖特基(Schottky)二極管，為智能手機及平板電腦的設計提供除微型DFN0603器件以外的又一選擇。新器件能夠以同樣的電路板占位面積，實現雙倍功率密度。 發表于：7/4/2013 中國成為富士通FRAM最大市場，電表工控汽車等領域全面開花 近五年之內，一些新型的非易失性存儲器技術如FRAM、PRAM、ReRAM、MRAM不斷涌現，但達到出色市場量產業績的只有FRAM。那么現如今FRAM在中國的應用進展如何？在哪些更多的應用領域正在取代傳統的EEPROM、SRAM和閃存和閃存呢？ 發表于：7/3/2013 意法半導體（ST）過壓保護二極管創小型化記錄，為移動應用釋放更多電路板空間 意法半導體推出全球最小的瞬態電壓抑制二極管，為消費電子產品和手持產品內的敏感電子元器件提供過壓保護功能。 發表于：4/10/2013 英飛凌推出采用創新芯片嵌入式封裝技術的新一代DrMOS器件DrBlade 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/ OTCQX代碼：IFNNY）近日在2013應用電力電子會議暨展覽會（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。DrBlade包含最新一代低壓DC/DC驅動器技術及OptiMOS? MOSFET器件。該MOSFET 技術擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優化的品質因數，能達到最高的DC/DC調壓系統效率，適用于計算及電信應用，包括刀片服務器和機架服務器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。 發表于：3/27/2013 恩智浦推出全球首款采用2 mm x 2 mm無引腳封裝的低VCEsat雙晶體管 智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)（納斯達克代碼：NXPI）近日推出業內首款雙晶體管產品，具有低飽和電壓特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平無引腳）封裝。15種采用無引腳、薄型DFN2020-6 (SOT1118)封裝的全新產品即將上市，它們的集電極電壓(VCEO)為30 V、60 V和120 V (PBSS4112PAN)。 發表于：3/25/2013 德州儀器推出支持業界最低功耗的智能旁路二極管 日前，德州儀器(TI) 宣布推出一款采用標準表面貼裝封裝并支持15A 電流處理功能與業界最低功耗的智能旁路二極管。與采用3 個傳統肖特基二極管的類似接線盒相比，在典型應用中每個SM74611 不但可將功耗銳降80%，而且還可將接線盒內的工作溫度降低50 攝氏度。 發表于：3/18/2013 Everspin推出帶Quad SPI接口的1Mb串行MRAM器件 Everspin科技公司今天宣布推出一款帶有Quad SPI接口的1Mb全新串行MRAM器件 ——MR10Q010。Quad SPI有4個串行I/O通路，從一個串行I/O通路的SPI發展而來。MRAM和Quad SPI的結合讓用戶可以充分運用超高的寫速度，徹底摒棄了Flash或EEPROM器件必須經歷的寫延時。MR10Q010擁有一個52MBps讀/寫帶寬的104MHz時鐘速度，Everspin期待它用在需要高頻率、高速寫入重要數據的應用中。MR10Q010體現了Everspin磁性RAM（MRAM）的所有優點 —— 最快的非易失性隨機訪問存儲器，具有超強的可靠性。 發表于：3/5/2013 德州儀器柵極驅動器旨在滿足 IGBT 與 SiC FET 設計需求 日前，德州儀器(TI) 宣布推出業界首款面向絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 與碳化硅(SiC) FET 的35 V 單通道輸出級電源管理柵極驅動器。TI 支持拆分輸出的最新UCC27531 與UCC27532 輸出級柵極驅動器可為隔離式電源設計提供最高效率的輸出驅動功能、最低的傳播延遲以及更高的系統保護力，以充分滿足太陽能DC/AC 逆變器、不間斷電源供應以及電動汽車充電等應用需求。 發表于：3/4/2013 電源設計小貼士 50：鋁電解電容器常見缺陷的規避方法 因其低成本的特點，鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是，它們壽命有限，且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片。這種電解液會在電容器壽命期間蒸發，從而改變其電氣屬性。如果電容器失效，其會出現劇烈的反應：電容器中形成壓力，迫使它釋放出易燃、腐蝕性氣體。 發表于：2/26/2013 英飛凌選用漢高新型導熱膏——導熱性能更出色的TIM 功率半導體的功率密度日益提高，因此，必須早在其設計階段就將散熱管理功能集成到當今的功率半導體中。只有這樣，它們才能確保實現長期的可靠散熱。其中一個技術瓶頸是功率器件和散熱器之間的導熱膏。在高功率密度的情況下，目前所用材料往往不能滿足與日俱增功率密度的提高。在尋求解決方案的過程中，英飛凌科技股份公司選中了漢高電子材料提供的TIM材料。現在，漢高進一步推出一種專門針對功率半導體模塊而優化的導熱膏。 發表于：2/26/2013 意法半導體（ST）與阿姆斯特丹大學理工學院合作追蹤鳥類飛行記錄 意法半導體與阿姆斯特丹（UvA）大學理工學院攜手宣布，該大學研發的先進鳥類追蹤系統采用了意法半導體的先進MEMS傳感技術。 發表于：2/22/2013 ?…81828384858687888990…?
