隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術上些微領先最大競爭對手公司韓國三星電子(SamsungElectronics)，但短期內(nèi)該技術也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。
　　
　　東芝將在2013年推出3DNANDFlash。此新技術將紀錄單元發(fā)展從平面改為3D垂直堆積，透過疊合多層紀錄單元的方式，在運用目前納米技術的情況下做出大容量存儲器，且因可利用現(xiàn)有半導體制造設備，而節(jié)省不少成本。在眾多3D存儲器技術中，東芝表明將利用可形成多層紀錄單元的BiCS(BitCostScalable)。
　　
　　在NANDFlash市場中，三星市占率一直處于領先地位，東芝則依靠其微縮技術緊追在后。但是過于微縮帶來的后果將是電流容易外漏，使得業(yè)界一般認為，2015年微縮技術的發(fā)展將達到極限。
　　
　　目前東芝正同時進行微縮技術及3DNANDFlash開發(fā)，并對微縮技術仍進行大規(guī)模投資。對此東芝表示，由目前的19納米到15納米間的制程微縮技術仍然可行，但10納米上下的制程將成為難關。納米制程將來的不確定性，將可能使東芝提早轉(zhuǎn)向3DNANDFlash。
　　
　　另一方面，由爾必達(Elpida)與夏普(Sharp)共同研發(fā)的次世代存儲器ReRAM(ResistiveRandom-AccessMemory)也即將上市。ReRAM擁有紀錄單元構(gòu)造簡單，耗電量低的特性，理論上資料寫入速度可較NANDFlash快上數(shù)千倍，未來可能于2013年推出，并成為NANDFlash的后繼者。此外，美國美光科技(Micron)也已著手開發(fā)ReRAM，最快將在2013~2014年間開始量產(chǎn)。
　　
　　韓國半導體大廠海力士(Hynix)在東芝的協(xié)助下，加緊開發(fā)寫入速度快速且耗電量低的磁阻式隨機存取存儲器(MagneticRAM；MRAM)，計劃趕在2014年達到量產(chǎn)目標。
　　
　　而實力雄厚的三星則利用其豐富的資源，同時開發(fā)3DNANDFlash、MRAM、ReRAM等多種技術，并將于2013年推出第1階段以東芝BiCS技術為基礎的3DNANDFlash產(chǎn)品。為鞏固全球市占率龍頭寶座，三星在研發(fā)上可說是下足功夫，以多方面同時推進的戰(zhàn)術兼顧各種技術。
　　
　　對于存儲器產(chǎn)業(yè)的未來，東芝高層認為，群雄割據(jù)的時代將再度來臨。盡管目前仍無法確定制程微縮的極限，也無法得知究竟何種存儲器技術將勝出，但各家廠商目前所下的決策將確實影響10年后的存儲器產(chǎn)業(yè)。