三星電子決定提前興建南韓華城的18號線，提高競爭力搶單。

韓媒BusinessKorea 19日報導(dǎo)，三星華城廠的18號線原定明年動工，如今三星決定提前至今年11月破土。18號線的建筑面積為40,536平方公尺，總樓面面積為298,114平方公尺。投資金額為6兆韓圜(54億美元)，預(yù)定2019年下半完工，生產(chǎn)存儲器以外的半導(dǎo)體產(chǎn)品。

華城廠為綜合晶圓廠，生產(chǎn)DRAM、3D NAND flash、系統(tǒng)半導(dǎo)體等。18線將裝設(shè)數(shù)十臺先進晶圓代工所需的極紫外光(EUV)微影機臺。三星提前施工，顯示該公司有意強化晶圓代工競爭力。三星今年把晶圓代工部門獨立出來，大舉投資，并放話搶市。

路透社7月25日報導(dǎo)，南韓三星電子副社長、擔任5月份新設(shè)立的晶圓代工事業(yè)部負責人的E.S. Jung 24日接受專訪時表示，除了大型企業(yè)之外、也將搶攻中小型客戶，目標在5年以內(nèi)將晶圓代工市場份額擴增至現(xiàn)行的3倍、提高至25%的水準。Jung指出，“希望能成為晶圓代工市場上強大的第2把交椅”。

BusinessKorea、Korea Economic Daily、韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星晶圓代工共有三個廠區(qū)，S1廠在南韓器興(Giheung)、S2廠在美國德州奧斯汀、S3在南韓華城(Hwaseong)。S3預(yù)定今年底啟用，將生產(chǎn)7、8、10納米制程晶圓。

去年底數(shù)據(jù)顯示，全球晶圓代工龍頭是臺積電、聯(lián)電排名第二、美國格羅方德(Global Foundry)名列第三、三星電子雖是小四，但是正急起直追。IHS Market數(shù)據(jù)顯示，2016年三星晶圓代工營收為45.18億美元，較2015年大增78.6%。

韓媒The Investor 6月27日報導(dǎo)，6月三星電子將斥資10億美元投資德州奧斯汀廠，該廠房負責制造用于移動設(shè)備的系統(tǒng)單芯片(SoC)等。PhoneArena消息顯示，奧斯汀廠是蘋果A系列處理器的重要生產(chǎn)基地。

三星同時公布了晶圓代工的發(fā)展路徑，當前主力為第二代10納米FinFET，今年準備進一步研發(fā)8納米，2018年進入7納米，2020年轉(zhuǎn)入4納米。據(jù)傳三星將跳級研發(fā)6納米制程，預(yù)定2019年量產(chǎn)。

半導(dǎo)體業(yè)界透露，三星提前動土，也要用最先進的設(shè)備，切入7nm以下制程，全力搶食邏輯芯片代工訂單，而且目標直指臺積電大客戶蘋果的下世代A12處理器。

消息指出，三星可能挾掌握全球超過九成以上OLED面板產(chǎn)能的優(yōu)勢，逼迫蘋果調(diào)整代工策略，將A12部分訂單交給三星，但這部分未獲三星高層證實。 三星將晶圓代工成立事業(yè)部后，曾宣示要在五年內(nèi)將晶圓代工市占率擴增至現(xiàn)行的三倍，提高至25%的水平。

產(chǎn)業(yè)分析師指出，目前臺積電7nm制程至少已有12個移動設(shè)備產(chǎn)品設(shè)計定案，還有從三星搶回來的高通訂單，在7nm戰(zhàn)役至少還領(lǐng)先三星一至二年以上。

臺積電為回擊三星在7nm全數(shù)導(dǎo)入極紫外光（EUV）作為曝光利器，也決定在7nm強化版提供EUV解決方案，鞏固客戶。 這項制程并訂2019年下半年量產(chǎn)，和三星進度相近。

此外，臺積電在5nm制程將全數(shù)導(dǎo)入EUV，目前5nm生產(chǎn)重鎮(zhèn)規(guī)劃在南科，相關(guān)建廠作業(yè)已經(jīng)展開，預(yù)定2020年量產(chǎn)。

臺積電董事長張忠謀曾說過，對競爭對手英特爾與三星，一直列為雷達上的勁敵。 因此，內(nèi)部高度警戒，絕不讓三星有任何見縫插針的機會，尤其防止機密外泄比以前更嚴密。