中國(guó)存儲(chǔ)器制造大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)，傳出今年產(chǎn)出將倍增，并計(jì)劃投產(chǎn)先進(jìn)芯片，杠上三星電子、美光等行業(yè)巨頭。

　　日經(jīng)亞洲評(píng)論12 日引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在2021下半年，將存儲(chǔ)器芯片的月產(chǎn)量倍增至10 萬片硅晶圓，約占全球產(chǎn)出7%。相較之下，全球最大NAND 型快閃存儲(chǔ)器制造商三星的月產(chǎn)出為48 萬片硅晶圓，美國(guó)最大存儲(chǔ)器廠商美光（Micron Technology, Inc.）則月產(chǎn)18 萬片硅晶圓。

　　除了擴(kuò)產(chǎn)現(xiàn)有芯片，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也打算加快科技發(fā)展進(jìn)程，消息透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快2021年中就會(huì)試產(chǎn)第一批192 層3D NAND 快閃存儲(chǔ)器，目前生產(chǎn)的是64 層與128 層芯片。

　　雖然計(jì)劃可能拖延至2021 下半年，也需要時(shí)間確保量產(chǎn)品質(zhì)，但這項(xiàng)時(shí)間表對(duì)于中國(guó)本土芯片業(yè)者而言仍是一大進(jìn)步。三星、美光仍在努力開發(fā)176 層3D NAND，能量產(chǎn)的最先進(jìn)版則是128 層芯片。如果順利的化這將是中國(guó)公司在存儲(chǔ)器領(lǐng)域首次領(lǐng)先三星、美光等國(guó)際巨存儲(chǔ)頭。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃中的192 層芯片，定義上確實(shí)比三星、美光先進(jìn)，但市場(chǎng)觀察人士依舊抱持謹(jǐn)慎態(tài)度，認(rèn)為應(yīng)看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品的效能、品質(zhì)能否超越領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)是在2020 年4 月宣布開發(fā)完成，并于同年底量產(chǎn)128 層NAND。消息顯示，目前良率約70%，依舊有改善空間。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的客戶包括聯(lián)想集團(tuán)及華為。

　　科技市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights 6 日發(fā)表研究報(bào)告指出，即使長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）、長(zhǎng)鑫儲(chǔ)存（CXMT）努力打造新IC 生產(chǎn)線，到了2025 年，中國(guó)還是會(huì)有高于50% 的IC 是由外國(guó)廠商（如SKHynix、三星、臺(tái)積電、聯(lián)電）晶圓代工廠生產(chǎn)。