中國上海，2023年3月30日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代^[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

　　TPH9R00CQ5具有行業領先的^[2]9.0mΩ（最大值）的低漏源導通電阻，與東芝現有產品“TPH1500CNH1^[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現有產品“TPH9R00CQH4^[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復^[5]時間縮短約44%，上述指標是體現同步整流應用性能的兩大關鍵反向恢復指標。新產品面向同步整流應用^[6]，降低了開關電源的功率損耗，有助于提高系統效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產品減少了開關過程中產生的尖峰電壓，有助于降低電源的EMI。

　　該產品采用業界廣泛認可的表面貼裝型SOP Advance（N）封裝。

　　此外，東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供能夠準確地再現電路瞬態特性的高精度G2 SPICE模型。

　　東芝利用該產品還開發出了“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器”參考設計。即日起可訪問東芝官網獲取上述參考設計。除此以外，新產品還可用于已發布的“1kW全橋DC-DC轉換器”參考設計。

　　東芝將繼續擴大自身的功率MOSFET產品線，以降低功率損耗、提高電源效率，并助力改善設備效率。

　　▲應用

　　-工業設備電源，如用于數據中心和通信基站的電源

　　-開關電源（高效率DC-DC轉換器等）

　　▲特性

　　-業界領先的^[2]低導通電阻：RDS（ON）＝9.0mΩ（最大值）（VGS＝10V）

　　-業界領先的^[2]低反向恢復電荷：Qrr＝34nC（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）

　　-業界領先的^[2]快速反向恢復時間：trr＝40ns（典型值）（-dIDR/dt＝100A/μs）

　　-高額定結溫：Tch（最大值）＝175℃

▲主要規格

　　參考設計：“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”

　　參考設計：“采用MOSFET的3相多電平逆變器”

　　注：

　　[1] 截至2023年3月的數據。

　　[2] 截至2023年3月，與其他150V產品的對比。東芝調查。

　　[3] 采用當前一代U-MOSVIII-H工藝的150V產品。

　　[4] 產品采用與TPH9R00CQ5相同的生產工藝，并具有相同的電壓和導通電阻。

　　[5] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。

　　[6] 如果新產品用于不執行反向恢復操作的電路，則功耗相當于TPH9R00CQH的水平。

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