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東芝推出采用超級結結構的600V N溝道功率MOSFET

助力提高電源效率
2023-06-14
來源:東芝電子元件及存儲裝置株式會社
關鍵詞: 東芝 TK055U60Z1 MOSFET

  中國上海,2023年6月13日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布,推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1,進一步擴充了N溝道功率MOSFET系列產品線。該器件采用超級結結構,耐壓600V,適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品,于今日開始批量出貨。

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  通過對柵極設計和工藝進行優化,與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比,600V DTMOSVI系列產品的單位面積漏源導通電阻降低了約13%,漏源導通電阻×柵漏電荷(MOSFET性能的品質因數)降低了約52%。這有助于確保該系列產品實現導通損耗和開關損耗的雙重降低,并最終實現了開關電源效率的提高。

  該新產品采用TOLL封裝,柵極驅動采用開爾文連接??梢酝ㄟ^降低封裝中源極線電感的影響,增強MOSFET的高速開關性能,從而抑制開關過程中的振蕩。

  未來,東芝將繼續擴展600V DTMOSVI系列產品線,以及已發布的650V DTMOSVI系列產品,并通過降低開關電源的功率損耗來達到節約節能的目的。

  圖1:漏極-源極導通電阻與柵漏電荷比較

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  ▲應用

  -數據中心(服務器開關電源等)

  -光伏發電機功率調節器

  -不間斷電源系統

  ▲特性

  -低漏源導通電阻×柵漏電荷,有助于提高開關電源的效率

  ▲主要規格

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  注:

  [1] 截至2023年6月



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