3 月 5 日消息，美光科技公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術，從而進一步降低生產 DRAM 存儲芯片的單層成本。
美光公司近日舉辦了一場演講，介紹在將納米印刷技術應用于 DRAM 生產的一些細節(jié)。美光在演講中表示 DRAM 節(jié)點和沉浸式光刻分辨率問題，名為“Chop”的層數量不斷增加，這就意味著添加更多的曝光步驟，來取出密集存儲器陣列外圍的虛假結構（dummy structures）。
美光公司表示由于光學系統本身性質，這些 DRAM 層的圖案很難用光學光刻技術進行印刷，而納米打印方式可以用更精細的方式打印出來，且鑒于納米印刷技術應用成本是沉浸式光刻技術的五分之一，因此是非常不錯的解決方案。
納米印刷技術并不能在內存芯片生產的所有階段取代傳統的光刻技術，兩者并非純粹的競爭關系，但該技術至少可以降低單個技術操作的成本。
IT之家此前報道，佳能 2023 年 10 月公布 FPA-1200NZ2C 納米壓印光刻（NIL）半導體設備。佳能社長御手洗富士夫表示，納米壓印光刻技術的問世，為小型半導體制造商生產先進芯片開辟了一條新的途徑。
佳能半導體設備業(yè)務經理巖本和德表示，納米壓印光刻是指將帶有半導體電路圖案的掩模壓印在晶圓上，只需一個印記，就可以在適當的位置形成復雜的 2D 或 3D 電路圖案，因此只需要不斷改進掩模，甚至能生產 2nm 芯片。
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