國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3月19日發(fā)布《2027年300mm晶圓廠展望報(bào)告》。報(bào)告顯示，由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)蘇以及高性能計(jì)算、汽車應(yīng)用的強(qiáng)勁需求，全球應(yīng)用于前道工藝的300mm晶圓廠設(shè)備投資，預(yù)計(jì)將在2025年首次突破1000億美元，2027年將達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的1370億美元。

SEMI預(yù)測(cè)，2025年全球300mm晶圓廠設(shè)備投資將增長(zhǎng)20%至1165億美元，2026年增長(zhǎng)12%至1305億美元，2027年將將繼續(xù)增長(zhǎng)5%至1370億美元。

SEMI總裁兼CEO Ajit Manocha表示，對(duì)未來幾年這類設(shè)備支出猛增的預(yù)測(cè)，反映了為滿足不同市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求，以及人工智能（AI）創(chuàng)新帶來的新熱潮。SEMI的最新報(bào)告還強(qiáng)調(diào)了政府增加對(duì)半導(dǎo)體制造業(yè)投資對(duì)于促進(jìn)全球經(jīng)濟(jì)和安全的重要性，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將顯著縮小新興地區(qū)與以往亞洲半導(dǎo)體制造業(yè)最發(fā)達(dá)地區(qū)在設(shè)備支出的差距。

分區(qū)域看，SEMI表示中國(guó)大陸將繼續(xù)引領(lǐng)晶圓廠設(shè)備支出，未來四年每年投資額將達(dá)到300億美元。中國(guó)臺(tái)灣、韓國(guó)廠商也在加快設(shè)備投資，預(yù)計(jì)到2027年，中國(guó)臺(tái)灣設(shè)備支出將從2023年的203億美元增至2027年的280億美元，排名第二。韓國(guó)預(yù)計(jì)將從2024年的195億美元增至2027年的263億美元，位居第三。

美洲300mm晶圓廠設(shè)備投資預(yù)計(jì)將翻一倍，從2024年的120億美元增至2027年的247億美元。而日本、歐洲及中東、東南亞的設(shè)備支出，預(yù)計(jì)將在2027年分別達(dá)到114億美元、112億美元和53億美元。

細(xì)分領(lǐng)域方面，SEMI表示今年晶圓代工領(lǐng)域的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將下降4%，降至566億美元，部分原因是大于10nm成熟節(jié)點(diǎn)投資放緩。預(yù)計(jì)到2027年，晶圓代工市場(chǎng)設(shè)備支出將達(dá)到791億美元。

存儲(chǔ)設(shè)備制造領(lǐng)域占比第二，SEMI表示人工智能服務(wù)器對(duì)數(shù)據(jù)吞吐量的需求增加，推動(dòng)HBM等存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求，并刺激該領(lǐng)域投資增加。預(yù)計(jì)2027年存儲(chǔ)器制造設(shè)備投資將達(dá)到791億美元，與2023年相比復(fù)合年增長(zhǎng)率為20%。其中DRAM方面設(shè)備支出，至2027年將達(dá)到252億美元，3D NAND設(shè)備支出將達(dá)到168億美元。

此外，SEMI預(yù)計(jì)到2027年，模擬芯片、光電、分立元件領(lǐng)域的300mm設(shè)備支出將分別增加至55億美元，23億美元和16億美元。