據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子和 SK 海力士都在推進(jìn)移動 DRAM 堆疊封裝技術(shù)的應(yīng)用，該技術(shù)可提高移動設(shè)備的內(nèi)存帶寬。

端側(cè) AI 是目前智能手機(jī)、筆記本等產(chǎn)品市場的熱門話題，而實(shí)現(xiàn)端側(cè)運(yùn)行模型需要更強(qiáng)大的移動 DRAM 性能。堆疊芯片作為一種在 HBM 內(nèi)存上行之有效的策略被納入考慮。

然而，以 LPDDR 為代表的移動 DRAM 芯片較小，不適合與 HBM 相同的 TSV（硅通孔）連接方案；同時 HBM 制造工藝的高成本低良率特性也不能滿足高產(chǎn)能移動 DRAM 的需求。

因此三星電子、SK 海力士采用了另一種先進(jìn)封裝方式來實(shí)現(xiàn)移動 DRAM 芯片堆疊，也就是垂直布線扇出技術(shù) VFO，該技術(shù)可提供更多的 IO 數(shù)據(jù)引腳。

SK 海力士方面表示 VFO 技術(shù)將 FOWLP 和 DRAM 堆疊兩項技術(shù)結(jié)合，通過垂直連接大幅縮短了電信號在多層 DRAM 間的傳輸路徑，同時能效也有提升。

SK 海力士給出的數(shù)據(jù)顯示，其去年中的 VFO 技術(shù)驗證樣品在導(dǎo)線長度上僅有傳統(tǒng)布線產(chǎn)品的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少了 27%。

根據(jù) ETNews 的說法，三星方面采用類似技術(shù)的產(chǎn)品是 LLW DRAM。LLW DRAM 可實(shí)現(xiàn)低延遲和 128GB/s的高帶寬性能，同時能耗也僅有 1.2 pJ / b。

采用 VFO 技術(shù)的產(chǎn)品有望成為繼 HBM 后的下一個 AI 內(nèi)存熱點(diǎn)。報道稱三星計劃于明年下半年實(shí)現(xiàn) LLW DRAM 的量產(chǎn)；而 SK 海力士相關(guān)產(chǎn)品目前已在量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。