5 月 27 日消息，Rapidus 美國子公司 Rapidus Design Solutions 負責人亨利?理查德（Henri Richard）近日表示，Rapidus 的首代工藝將不采用 High NA EUV 光刻機。

據外媒 Anandtech 報道，理查德稱 Rapidus 目前對在其 2nm 節(jié)點使用的 0.33NA (Low NA) EUV 光刻解決方案“非常滿意”。

目前四家先進制程代工企業(yè)（臺積電、三星電子、英特爾、Rapidus）中，僅有英特爾明確了將 High NA EUV 光刻機用于量產的計劃。

臺積電聯(lián)席副 COO 張曉強近日就表示，他“不喜歡”ASML High NA EUV 光刻機的價格；而三星電子的 Kang Young Seog 研究員此前也表達了類似的看法。

除計劃于 2025 年試產、2027 年量產的 2nm 工藝外，Rapidus 內部已對下一階段 1.4nm 進行了規(guī)劃。

理查德也表示，這家新興日本代工廠“可能會考慮在 1.4nm 時采用不同的解決方案（指 High NA EUV 光刻）”。

理查德稱其從潛在客戶和 EDA 企業(yè)處了解到，整個先進半導體行業(yè)都在尋求除臺積電外的另一家獨立代工企業(yè)作為替代供應方。

不同于也擁有自身芯片業(yè)務的三星電子和英特爾，Rapidus 是一家純粹的代工企業(yè)。這一獨特身份將使其更受合作伙伴的歡迎。

理查德預估 2nm 及以下的最尖端半導體市場將達到 1500 億美元（約 1.09 萬億元人民幣），如此規(guī)模下 Rapidus 的“成功”不需要太多的市場份額。