9 月 3 日消息，韓媒 etnews 當?shù)貢r間昨日報道稱，三星電子和 SK 海力士的“類 HBM 式”堆疊結(jié)構(gòu)移動內(nèi)存產(chǎn)品將在 2026 年后實現(xiàn)商業(yè)化。

消息人士表示這兩大韓國內(nèi)存巨頭將堆疊式移動內(nèi)存視為未來重要收入來源，計劃將“類 HBM 內(nèi)存”擴展到智能手機、平板電腦和筆記本電腦中，為端側(cè) AI 提供動力。

綜合IT之家此前報道，三星電子的此類產(chǎn)品叫做 LP Wide I/O 內(nèi)存，SK 海力士則將這方面技術(shù)稱為 VFO。兩家企業(yè)使用了大致相同的技術(shù)路線，即將扇出封裝和垂直通道結(jié)合在一起。

三星電子的 LP Wide I/O 內(nèi)存位寬達 512bit，是現(xiàn)有 LPDDR 內(nèi)存的 8 倍，較傳統(tǒng)引線鍵合擁有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 帶寬。該內(nèi)存將于 2025 年一季度技術(shù)就緒，2025 下半年至 2026 年中量產(chǎn)就緒。

而 SK 海力士的 VFO 技術(shù)驗證樣品將導(dǎo)線長度縮短至傳統(tǒng)內(nèi)存的不到 1/4，能效也提升了 4.9%。雖然該方案帶來了額外 1.4% 的散熱量，但封裝厚度減少了 27%。

報道指出，關(guān)于這些堆疊式移動內(nèi)存如何同處理器集成尚無定論，討論中的方案包括類似 HBM 的 2.5D 封裝或 3D 垂直堆疊。

半導(dǎo)體封裝行業(yè)人士表示，移動處理器如何設(shè)計與布置將影響堆疊式移動內(nèi)存的配置與連接方式，這意味著新一代移動內(nèi)存將根據(jù)合作伙伴的需求定制供應(yīng)，徹底改變移動 DRAM 市場格局。