當地時間9月11日，英飛凌科技股份公司（infineon）宣布，公司已成功開發出全球首款300毫米（12英寸）功率氮化鎵（GaN）晶圓技術。英飛凌是世界上第一家在現有且可擴展的大批量制造環境中掌握這項突破性技術的公司。這一突破將有助于大幅推動基于 GaN 的功率半導體市場。與 200 mm 晶圓相比，300 mm 晶圓上的芯片生產在技術上更先進，效率更高，因為更大的晶圓直徑每個晶圓可容納 2.3 倍的芯片。

目前基于氮化鎵的功率半導體在工業、汽車和消費、計算和通信應用中得到快速采用，包括AI系統的電源供應器、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統。最先進的 GaN 制造工藝可以提高器件性能，從而為最終客戶的應用帶來好處，因為它可以實現效率性能、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，300 毫米制造通過可擴展性確保了卓越的客戶供應穩定性。

英飛凌科技股份公司首席執行官Jochen Hanebeck表示：“這一顯著的成功是我們創新實力和全球團隊專注工作的結果，旨在展示我們作為氮化鎵和電源系統創新領導者的地位。這項技術突破將改變行業游戲規則，使我們能夠釋放氮化鎵的全部潛力。在收購 GaN Systems 近一年后，我們再次證明我們決心成為快速增長的 GaN 市場的領導者。作為電源系統的領導者，英飛凌掌握了所有三種相關材料：硅、碳化硅和氮化鎵?！?/p>

據介紹，英飛凌在其位于奧地利菲拉赫的功率工廠現有的 300 mm 硅生產中，成功地在一條集成試驗線上制造了 300 mm GaN 晶圓。該公司正在利用現有 300 mm 硅和 200 mm GaN 生產中的成熟能力。英飛凌將根據市場需求進一步擴大 GaN 產能。300 毫米 GaN 制造將使英飛凌能夠塑造不斷增長的 GaN 市場，預計到本十年末，該市場將達到數十億美元。

這一開創性的技術成功凸顯了英飛凌作為電源系統和物聯網領域全球半導體領導者的地位。英飛凌正在實施 300 毫米 GaN，以增強現有并支持新的解決方案和應用領域，使其具有越來越經濟高效的價值主張，并能夠滿足各種客戶系統的需求。英飛凌將在電子展2024 年 11 月在慕尼黑舉行的貿易展。

300 mm GaN 技術的一個顯著優勢是它可以利用現有的 300 mm 硅制造設備，因為氮化鎵和硅在制造過程中非常相似。英飛凌現有的大批量 300 毫米硅生產線非常適合試點可靠的 GaN 技術，從而加快實施和高效利用資本。完全按比例生產的 300 毫米 GaN 將有助于 GaN 成本與硅（Si）持平，這意味著同類硅和 GaN 產品的成本將走向持平。

英飛凌表示，300 毫米 GaN 是英飛凌戰略創新領導地位的又一里程碑，支持英飛凌的脫碳和數字化使命。