小说排行榜,完美世界辰东,小说

復(fù)旦閃存新成果登Nature 突破閃存速度理論極限

史上最快的閃存器件，復(fù)旦團(tuán)隊(duì)造！其研發(fā)的皮秒閃存器件“破曉（PoX）”登上了Nature，擦寫速度達(dá)到了亞納秒級(jí)，比現(xiàn)有速度快1萬倍。并且數(shù)據(jù)不易丟失，按照實(shí)驗(yàn)外推結(jié)果，保存年限可達(dá)十年以上。

發(fā)表于：4/23/2025

基于高云Arora-V 60K FPGA實(shí)現(xiàn)的MIPI CPHY轉(zhuǎn)MIPI DPHY透?jìng)髂K

近期，高云代理商聯(lián)詮國(guó)際聯(lián)合合作伙伴DepEye（深目微）共同推出 MIPI CPHY轉(zhuǎn)DPHY (C2D)透?jìng)髂K：DEGC2DV60，功能基于高云GW5AT-LV60 FPGA實(shí)現(xiàn)，該產(chǎn)品適用于需要從 MIPI CPHY RX 橋接到 MIPI DPHY TX 的應(yīng)用場(chǎng)景。

發(fā)表于：4/22/2025

傳臺(tái)積電2nm已獲英特爾下單

4月22日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日本》報(bào)道，繼AMD之后，晶圓代工大廠臺(tái)積電最新的2nm制程已經(jīng)獲得了英特爾的下單。

發(fā)表于：4/22/2025

TrendForce：預(yù)計(jì)中國(guó)市場(chǎng)2025年人形機(jī)器人本體產(chǎn)值將超45億

4 月 21 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發(fā)文，中國(guó)市場(chǎng)已有 11 家主流人形機(jī)器人本體廠商在 2024 年開啟量產(chǎn)計(jì)劃，其中有 6 家如宇樹科技、優(yōu)必選、智元機(jī)器人、銀河通用、眾擎機(jī)器人、樂聚機(jī)器人等廠商對(duì) 2025 年量產(chǎn)規(guī)劃超過千臺(tái)。

發(fā)表于：4/22/2025

消息稱三星電子正推動(dòng)DRAM制程升級(jí)

4 月 22 日消息，臺(tái)媒《電子時(shí)報(bào)》今日稱，隨著三星電子推動(dòng) DRAM 內(nèi)存制程工藝的策略性轉(zhuǎn)換升級(jí)，多款采用老舊 1y nm（第二代 10nm 級(jí)）工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組（內(nèi)存條）即將停產(chǎn)。具體來看，多家供應(yīng)鏈企業(yè)反饋收到產(chǎn)品 EOL（IT之家注：生命周期結(jié)束）通知函，多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內(nèi)存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬，2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。

發(fā)表于：4/22/2025

臺(tái)積電：無法保證半導(dǎo)體芯片不會(huì)被轉(zhuǎn)移到被禁企業(yè)

4月22日消息，據(jù)Tom's hardware報(bào)道，針對(duì)此前臺(tái)積電因在不知情的情況下為被美國(guó)列入黑名單的中企生產(chǎn)AI計(jì)算小芯片，或?qū)⒚媾R 10 億美元的罰款一事，臺(tái)積電在其最新的年度報(bào)告中承認(rèn)，在其代工的芯片離開晶圓廠后，難以確保客戶不會(huì)將芯片轉(zhuǎn)移，以及了解芯片最終用途。換句話說，臺(tái)積電不能保證類似的事件不會(huì)重演。

發(fā)表于：4/22/2025

世強(qiáng)硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展

世強(qiáng)硬創(chuàng)重磅亮相2025慕尼黑上海電子展以創(chuàng)新技術(shù)賦能全球電子產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)

發(fā)表于：4/22/2025

前十占九！“中國(guó)機(jī)構(gòu)正在主導(dǎo)全球芯片研究”

美國(guó)不斷加強(qiáng)對(duì)華芯片出口限制，試圖遏制中國(guó)獲取先進(jìn)半導(dǎo)體。但美國(guó)最新研究顯示，中國(guó)研究人員已加緊努力，進(jìn)行大量的基礎(chǔ)研究，目前在芯片設(shè)計(jì)和制造研究領(lǐng)域處于世界領(lǐng)先地位。

發(fā)表于：4/22/2025

印度提交埃米級(jí)芯片議案入局芯片戰(zhàn)

4月21日消息，印度聯(lián)合新聞社發(fā)布文章表示，印度頂尖研究機(jī)構(gòu)印度科學(xué)研究所（IISc）的30名科學(xué)家團(tuán)隊(duì)聯(lián)合向政府提交了一份開發(fā)“埃級(jí)”芯片的議案，該芯片的尺寸遠(yuǎn)小于目前生產(chǎn)的最小芯片。

發(fā)表于：4/22/2025

臺(tái)積電美國(guó)廠4年巨虧400億臺(tái)幣南京廠大賺800億臺(tái)幣

4月21日消息，臺(tái)積電一直積極赴美投資建廠，總額高達(dá)1650億美元，計(jì)劃建設(shè)六座晶圓廠、兩座封裝廠、一座研發(fā)中心，未來甚至落地2nm、1.6nm級(jí)別先進(jìn)工藝，而因?yàn)榉N種原因，在內(nèi)地只能部署一些成熟工藝。根據(jù)臺(tái)積電最新公布的股東會(huì)年報(bào)，臺(tái)積電在美國(guó)亞利桑那州新建的工廠，2024年虧損近143億元新臺(tái)幣，成為最燒錢的海外廠區(qū)。在此前三年，臺(tái)積電美國(guó)工廠因?yàn)橐恢碧幱谇捌谕顿Y建設(shè)階段，也是虧損連連，而且持續(xù)擴(kuò)大，2021年、2022年、2023年分別達(dá)48.1億元新臺(tái)幣、94.3億元新臺(tái)幣、109.24億元新臺(tái)幣，四年合計(jì)虧損幾乎達(dá)到400億元新臺(tái)幣。

發(fā)表于：4/22/2025

高穩(wěn)定性光纖激光器恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

光纖激光器波長(zhǎng)和輸出功率的穩(wěn)定性易受泵浦源驅(qū)動(dòng)電流波動(dòng)的影響，為應(yīng)對(duì)該問題，設(shè)計(jì)了一款高精度、高穩(wěn)定性恒流驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。恒流源部分采用閉環(huán)負(fù)反饋原理，通過金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）來控制恒流輸出，實(shí)現(xiàn)了對(duì)半導(dǎo)體激光器（LD）驅(qū)動(dòng)電流的精準(zhǔn)控制；限流保護(hù)電路利用二極管的限幅作用使LD免受過電流沖擊的影響，電流緩慢啟動(dòng)采用軟件控制的方法確保LD免受浪涌電流損害；光功率探測(cè)電路采用ADA4530芯片，確保在極低光照水平下也可精準(zhǔn)探測(cè)到功率輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該電路可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電流在0~1.2 A連續(xù)可調(diào)，電流短期（120 min）和長(zhǎng)期（24 h）穩(wěn)定性分別為±0.001 mA和±0.002 mA；激光器中心波長(zhǎng)波動(dòng)不超過±0.03 nm，輸出功率的穩(wěn)定度不超過0.084 3%，精度小于±0.15 mW。

發(fā)表于：4/21/2025

基于多線縫隙耦合的Ka波段薄膜功分器設(shè)計(jì)

傳統(tǒng)的功分器結(jié)構(gòu)由于高頻串?dāng)_明顯、阻抗變換線體積大等原因，難以滿足微波系統(tǒng)高頻率、小型化的需求。為此，提出一種基于多線縫隙耦合結(jié)構(gòu)的Ka波段功分器。從電路拓?fù)涑霭l(fā)，對(duì)該器件進(jìn)行了電路設(shè)計(jì)、建模仿真與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。測(cè)試結(jié)果表明，該器件具備良好的高頻性能，且表現(xiàn)出通帶兩側(cè)具有傳輸零點(diǎn)的濾波響應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了多線縫隙耦合的薄膜功分器設(shè)計(jì)。

發(fā)表于：4/21/2025

T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究

對(duì)Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機(jī)理與影響因素進(jìn)行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結(jié)合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點(diǎn)，進(jìn)行了對(duì)應(yīng)的微區(qū)分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數(shù)對(duì)器件抗靜電能力的影響并進(jìn)行相關(guān)機(jī)理分析，為器件ESD性能、可靠性的優(yōu)化提供了方向與參考。

發(fā)表于：4/21/2025

器件級(jí)帶電器件模型靜電放電測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)分析及應(yīng)用

針對(duì)器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電國(guó)內(nèi)外主要測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了整理、分析與解讀。梳理了各標(biāo)準(zhǔn)之間的差異性和關(guān)聯(lián)性，明確了各標(biāo)準(zhǔn)的應(yīng)用范圍與技術(shù)要點(diǎn)。深入研究了影響器件級(jí)帶電器件模型（CDM）靜電放電測(cè)試結(jié)果的因素與控制方法，提出了在標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用過程中保障結(jié)果一致性和準(zhǔn)確性的相關(guān)技術(shù)技巧，為器件級(jí)帶電器件模型（CDM）測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的選擇、測(cè)試和工程應(yīng)用提供了指導(dǎo)。

發(fā)表于：4/21/2025

Arm已將Artan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)出售給了Cadence

近日，EDA及半導(dǎo)體IP大廠Cadence宣布，已與Arm達(dá)成最終協(xié)議，收購Arm的Artisan基礎(chǔ)IP業(yè)務(wù)。該業(yè)務(wù)涵蓋標(biāo)準(zhǔn)單元庫、內(nèi)存編譯器以及針對(duì)領(lǐng)先代工廠先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)優(yōu)化的通用I/O（GPIO）。此次交易將增強(qiáng)Cadence不斷擴(kuò)展的設(shè)計(jì)IP產(chǎn)品線，其核心產(chǎn)品包括領(lǐng)先的協(xié)議和接口IP、內(nèi)存接口IP、適用于最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)的SerDes IP，以及即將收購的Secure-IC公司提供的嵌入式安全I(xiàn)P。

發(fā)表于：4/21/2025