據(jù)群眾新聞網(wǎng)報道，目前，總投資80億美元的三星高端存儲芯片二期第二階段項目正在穩(wěn)步推進，預計2021年年中建成投產(chǎn)。

據(jù)三星（中國）半導體有限公司副總裁池賢基介紹，三星（中國）半導體有限公司一季度進出口額為278.67億元，相較去年同期增加45%，二期項目第一階段預計在今年第三季度實現(xiàn)滿產(chǎn)。

資料顯示，三星（中國）半導體有限公司成立于2012年，公司位于西安高新綜合保稅區(qū)。落地西安以后，三星電子先期投資105億美元建成三星（中國）半導體有限公司高端閃存芯片項目一期及封裝測試中心。項目一期于2014年5月竣工投產(chǎn)，截至目前運行順利。

2017年8月，三星電子與陜西省、西安市及高新區(qū)政府簽署了投資合作協(xié)議，建設三星（中國）半導體有限公司閃存芯片二期項目。

據(jù)悉，三星高端存儲芯片二期第一階段項目投資約70億美元，今年3月，二期項目第一階段項目產(chǎn)品正式下線上市。

2019年12月，三星高端存儲芯片二期第二階段項目正式啟動，總投資80億美元。

作為改革開放以來我國電子信息行業(yè)最大的外資項目，三星（中國）半導體有限公司生產(chǎn)的主要產(chǎn)品為3D V-Nand閃存芯片。

池賢基表示，三星項目的啟動，帶動100多個相關(guān)配套企業(yè)進駐西安高新區(qū)，西安高新區(qū)形成了規(guī)模過千億元的半導體產(chǎn)業(yè)集群，并將進一步躍升為世界具有競爭力的電子信息產(chǎn)業(yè)基地。