近日，英國南安普敦大學宣布，成功開設了日本以外首個分辨率達 5 納米以下的尖端電子束光刻 (EBL) 中心，可以制造下一代半導體芯片。這也是全球第二個，歐洲首個此類電子束光刻中心。

據(jù)介紹，該電子束光刻中心采用了日本JEOL的加速電壓直寫電子束光刻 (EBL) 系統(tǒng)，這也是全球第二臺200kV 系統(tǒng)（JEOL JBX-8100 G3）（第一臺在日本），其可以在 200 毫米晶圓上實現(xiàn)低于5納米級精細結(jié)構(gòu)的分辨率處理。這可以在厚至 10 微米的光刻膠中實現(xiàn)，且側(cè)壁幾乎垂直，可用于開發(fā)電子和光子學領(lǐng)域研究芯片中的新結(jié)構(gòu)。JEOL的第二代EBL 設備——100kV JEOL JBX-A9 將計劃用于支持更大批量的 300 毫米晶圓。

目前JEOL的加速電壓直寫電子束光刻系統(tǒng)（JEOL JBX-8100 G3）已經(jīng)安裝在了南安普頓大學蒙巴頓綜合大樓內(nèi)一個專門建造的 820 平方米潔凈室內(nèi)。

英國科學部長帕特里克·瓦蘭斯勛爵 （Lord Patrick Vallance）表示：“英國是世界上一些最令人興奮的半導體研究的所在地，南安普敦的新電子束設施極大地提升了我們的國家能力。通過投資基礎設施和人才，我們?yōu)檠芯咳藛T和創(chuàng)新者提供了在英國開發(fā)下一代芯片所需的支持。”

△南安普敦大學科學部長 Lord Vallance 勛爵、南安普敦大學校長 Mark E. Smith 教授、領(lǐng)導光電子研究中心 （ORC） 和 CORNERSTONE 的 Graham Reed 教授、日本Jeol CEO Osamu Wakimoto一起為該新設施揭幕。

“我們非常榮幸成為日本以外首個擁有這套新一代200千伏電子束光刻系統(tǒng)的機構(gòu)。南安普頓大學在電子束光刻領(lǐng)域擁有超過30年的經(jīng)驗，”南安普頓大學馬丁·查爾頓教授說道。“這將有助于推動量子計算、硅光子學和下一代電子系統(tǒng)領(lǐng)域的發(fā)展。這套設備與我們現(xiàn)有的微加工設備套件相得益彰，使我們能夠研發(fā)和生產(chǎn)各種用于電子、光子學和生物納米技術(shù)的集成納米級器件?！?/p>

Graham Reed 教授補充道：“新電子束設施的引入將加強我們在英國學術(shù)界擁有最先進的潔凈室的地位。它促進了大量創(chuàng)新和工業(yè)相關(guān)的研究，以及急需的半導體技能培訓?！?/p>

一項新的研究表明，在英國蓬勃發(fā)展的半導體行業(yè)中實現(xiàn)增長的最大障礙之一是缺乏新興人才。一名半導體工人平均每年可以為英國經(jīng)濟貢獻 460,000 英鎊。

英國政府已經(jīng)推出了一項新的 475 萬英鎊的半導體技能計劃，以幫助建立推動這一高增長行業(yè)所需的人才基礎。

該一攬子計劃還將有助于加強南安普敦等一流大學的研發(fā)能力，這些大學對英國半導體創(chuàng)新和人才發(fā)展至關(guān)重要。

Vallance 勛爵補充道：“我們 475 萬英鎊的技能計劃將通過幫助更多年輕人進入高價值半導體職業(yè)、縮小技能差距并支持這一關(guān)鍵領(lǐng)域的增長來支持我們的變革計劃?！?/p>